EUV作为下一代技术的代表，不需要多重曝光，一次就能曝出想要的精细图形，没有超纯水和晶圆接触，在产品生产周期、OPC的复杂程度、工艺控制、良率等方面的优势明显。但是也需要继续优化。特别是EUV的曝光方式，降低EUV掩膜版的缺陷，以及晶圆产率方面还有很大发大空间。EUV光刻机对7nm及以下的工艺节点非常重要，台积电、三星两大代工巨头均已在最新产品中引入7纳米EUV技术。>>全文

EUV被认为是推动半导体产业制造更小芯片的重要里程碑，但是根据目前的EUV微影技术发展进程来看，10奈米（nm）和7nm制程节点已经准备就绪，就是5nm仍存在很大的挑战。>>全文

随着先进制程来到10纳米之下，制程微缩瓶颈浮现，同时复杂的图形造成曝光次数增加，光罩成本随之倍增，让半导体产业向来信守的摩尔定律（Moore’s Law）变得窒碍难行，极紫外光（extreme ultraviolet；简称EUV）E技术被视为摩尔定律继续往下走的关键，EUV制程技术势在必行。>>全文

比利时研究机构Imec和微影设备制造商ASML计划成立一座联合研究实验室，共同探索在后3nm逻辑节点的奈米级元件制造蓝图。此次双方这项合作是一项为期五年计划的一部份，分为两个阶段：首先是开发并加速极紫外光（EUV）微影技术导入量产，包括最新的EUV设备准备就绪。其次将共同探索下一代高数值孔径（NA）的EUV微影技术潜力，以便能够制造出更小型的奈米级元件，从而推动3nm以后的半导体微缩。>>全文