美国IBM公司利用以石墨烯作通道的晶体管（GFET）等制成了混频器IC。从GFET的形成、层叠到电感器和布线的集成，均在晶圆上一次性制成，首次展现了采用石墨烯的IC量产的可能性。

　　此次制成的混频器IC因尺寸非常小，显示出了其特性温度依存性小，而且可在10GHz的大带宽工作等出色性能。IBM称今后的目标是将GFET混载于更复杂的电路中。

IBM以前制作的GFET的示意图（点击放大）

　　在SiC基板上外延生长

　　混频器是无线通信中用于调制频率的电路。此次的混频器IC由1个栅极长为550nm的GFET、2个电感器以及4个端子焊盘等组成（图1）。试制芯片的尺寸约为900μm×600μm。

　　试制时，首先用热分解法令石墨烯膜在SiC基板上外延生长。具体为，把SiC基板的表面加热至1400℃，只令Si从表面2～3层的SiC结晶中脱离出来。剩下的C会自动形成石墨烯膜。该石墨烯膜显示出n型半导体的特性。

图：GFET和电感器混载于一枚芯片上（点击放大）

　　图中展示了IBM开发的混频器IC。在利用热分解法形成石墨烯后，依次制作布线层的源漏电极、栅极电极及电感器。栅极长为550nm，通道宽度为30μm。

　　在该石墨烯膜上制作掩模，使用基于电子光束（EB）的光刻技术在石墨烯膜上形成图案。然后，层叠源漏电极。在形成作为栅极绝缘膜的Al2O3后，形成栅极电极。接着通过使用垫片叠加Al层，以EB加工成电感器。

　　在评价此次的试制品时，确认了其可按照设计工作。即输入4GHz的局部振荡（LO）频率和3.8GHz的模拟信号时，输出了这两种频率的和7.8GHz及差200MHz。

　　此次混频器IC使用了高价的SiC基板，这是其实用化所面临的主要课题。不过，与使用GaAs、工作频率为几GHz的混频器IC产品相比，还是有其优势的。因为现有混频器IC无法混载电感器，需要外置被动部件。