Vishay发布用于商业应用的低外形SMPD封装的新款TMBS®整流器-AET-电子技术应用

Vishay发布用于商业应用的低外形SMPD封装的新款TMBS®整流器

器件的低正向压降减少了功率损耗并提高效率

日期： 2013-09-10

关键词： MOS|IGBT|元器件正向压降 DC/DC 低外形电流等级反向保护

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出16个新款45V、50V、60V、100V和120V器件，扩充其TMBS^® Trench MOS势垒肖特基整流器产品。器件具有10A至60A的电流等级和极低的正向压降，针对商业应用。这些器件采用低外形SMPD封装，封装的占位与D2PAK(TO-263)一致，且典型高度更薄，只有1.7mm。

今天推出的Vishay General Semiconductor双片整流器在15A下的正向压降只有0.4V，在高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR-ing二极管和电池反向保护等应用中可减少功率损耗并提高效率。最终典型产品包括智能手机、平板电脑充电器、机顶盒、液晶电视机和计算机电源以及ADSL调制解调器。

新款整流器的最高工作结温为+150℃，潮湿敏感度等级达到per J-STD-020的1级，LF最高峰值为260℃。器件非常适合自动配置，符合RoHS指令和JEDEC JS709A标准的无卤素规定。

器件规格表：

产品种类	Vishay P/N	I_F (A)	V_RRM (V)	V_F at I_F and T_J			I_FSM (A)	T_J max (^oC)
产品种类	Vishay P/N	I_F (A)	V_RRM (V)	V_F (V)	I_F (A)	T_A (^oC)	I_FSM (A)	T_J max (^oC)
TMBS	V10D45C-M3/I	10	45	0.41	5	125	100	150
	V30D45C-M3/I	30	45	0.40	15	125	200
	V60D45C-M3/I	60	45	0.48	30	125	320
	V30DL50C-M3/I	30	50	0.42	15	125	300
	V10D60C-M3/I	10	60	0.50	5	125	100
	V30D60C-M3/I	30	60	0.57	15	125	170
	V30D60CL-M3/I	30	60	0.49	15	125	200
	V10D100C-M3/I	10	100	0.60	5	125	100
	V40D100C-M3/I	40	100	0.63	20	125	250
	V60D100C-M3/I	60	100	0.66	30	125	320
	V10D120C-M3/I	10	120	0.64	5	125	100
	V40D120C-M3/I	40	120	0.64	20	125	250
	V60D120C-M3/I	60	120	0.70	30	125	320
	V20DM120C-M3/I	20	120	0.65	10	125	120
	V30DM120C-M3/I	30	120	0.67	15	125	150
	V40DM120C-M3/I	40	120	0.64	20	125	250

新款45V、50V、60V、100V和120V TMBS整流器现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为八周。

VISHAY简介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站www.vishay.com。

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日期： 2013-09-10

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