2014年是 DRAM 产业获利颇为丰收的一年。受惠于全球智慧型手机持续热销，一线DRAM大厂纷纷转进行动式记忆体； TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 预估， 2014年行动式记忆体将占整体DRAM产出的36%，2015年更有机会突破40%大关。

    DRAMeXchange 研究协理郭祚荣表示，拜行动式记忆体需求畅旺所赐，标准型记忆体产出相对减少，反倒让模组价格始终维持在高价水位，2014年4GB模组均价约32美元， 标准型记忆体毛利率平均达40%以上。各DRAM厂朝向全面获利的状态，寡占市场格局与需求端的市场变化都将牵动2015年DRAM产业未来发展。

DRAMeXchange 预测 2015年 DRAM 产业五大市场趋势如下：

(1) DRAM成长趋缓但各厂皆以获利为优先

    DRAM产业转为寡占市场结构，仅存的三大DRAM厂皆以获利导向为优先，谨慎控制产出与产品类别的调整，加上全球智慧型手机持续维持高度成长，亦 让产能转向行动式记忆体，挤压到标准型记忆体的产出，让标准型记忆体市场价格维持高价水位，俨然成为DRAM厂的金鸡母，因此在获利方面都交出亮眼的成绩 单。DRAMeXchange预估 2015年的DRAM产值将达541亿美元，年成长为16%，为市场稳定成长获利的一年。

(2) 三星与SK海力士皆有新厂完工，视市场需求动态调整产能

    三星(Samsung)与SK海力士(Hynix)不约而同在2014年宣布扩建新厂的消息，产能竞赛再起的传闻甚嚣尘上，但 DRAMeXchange指出，事实上三星在扩建Line17的同时，Line16 DRAM产能已悄悄缩减并归还给NAND事业部使用。而SK海力士M14预计在明年第四季才有少量投片，较大规模的投片将在2016年才会浮现。

    整体而言，DRAMeXchange认为由于市场的需求仍会持续成长，工厂只是为未来需求而兴建，只要投片产出是有计划性的，后续价格虽然会逐季下降，但只要制程转进持续进行，DRAM厂获利仍能够保持在现有水位。

(3) 行动式记忆体跃居主流，LPDDR4明年现身

    2014年智慧型手机走入平价化，不少高规低价机种在全球市场攻城掠地，让新兴市场掀起一股智慧型手机的换机潮。 郭祚荣表示，在智慧型手机市场不停扩大的同时，2015年行动式记忆体市占也逼近全球市场的40%，相较于标准型记忆体27%的占比，行动式记忆体已跃升 全球DRAM市场主流产品。

    另一方面，从行动式记忆体做观察，2015年主流规格仍是LPDDR3，产出量达60%以上，而新规格LPDDR4将在明年首度应用在旗舰智慧型手机机种，无论省电机制与时脉更胜LPDDR3，预计2015年市占率将达到15%。

(4) 20nm成为主战场，然而资本支出增加将让制程转进趋缓

    韩系DRAM厂25nm制程在2014年下半年已迈入成熟期，无论良率与投片规模都成为DRAM主流规格。至于20nm制程，三星已进入验证阶 段，SK海力士预计在明年第二季初进入市场；相较之下，美光(Micron)目前规划只有华亚科才有20nm制程的标准型记忆体，转进进度较两大韩厂落 后，目标2015年底达到80K投片量。

    DRAMeXchange表示，由于进入20nm制程需要更多的设备来生产，意味着需要更多的资本支出，然而在获利导向下，各厂20nm制程的转进比重将会趋缓。

(5) 2015年年底伺服器用DDR4市占有望突破50%大关

    在英特尔(Intel)强势主导与DRAM厂的全力配合下，DDR4记忆体将在伺服器领域率先切入。郭祚荣表示，伺服器记忆体除了稳定性的要求外， 近期更着墨于低电压与速度兼顾。根据JEDEC的规范，DDR4电压值仅有1.2V，未来速度更可高达3200Mhz。而价格部分也正与伺服器用DDR3 逐步贴近，DRAMeXchange预计DDR4最快于2015年底取代DDR3，正式成为伺服器市场记忆体主流。