《电子技术应用》
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基于FPGA的K9F4G08 Flash控制器设计
来源:电子技术应用2010年第5期
唐 磊,周 旋,吴 瑶,李金城
北京交通大学 电子信息工程学院,北京100044
摘要: 设计了一种能使FPGA的主状态机直接管理Flash的控制器,该控制器具有自己的指令集和中断管理方式。用户可以根据FPGA的系统时钟对控制器进行操作,无需关心Flash对指令和数据的时序要求。控制器建立了自己的坏块管理机制,合并了一些Flash的常用关联指令,方便了用户对FPGA主状态机的设计。
中图分类号: TN431.2
文献标识码: A
Design of K9F4G08 Flash controller based on FPGA
TANG Lei,ZHOU Xuan,WU Yao,LI Jin Cheng
School of Electronic and Information Engineering, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044,China
Abstract: This paper designs a Flash controller, which enables the FPGA main state-machine to manage a Flash memory chip efficiently. The controller builds its own instruction set derived from the construction set of Flash, as well as a simple interrupt mechanism. User operates the controller with the system clock of FPGA without caring about the timing sequences required by the Flash. The proposed Flash controller develops its own method for the reorganization and mapping of invalid blocks in a Flash chip. Some of the constructions in the original construction set of the Flash are combined and enhanced to help the users coding their HDL with a more compact style.
Key words : FPGA;Flash;state-machine;mapping;instruction set

    K9F4G08是三星公司的512 MB NAND Flash,具有8 bit输入输出总线。存储空间共分成4 096个块,每个块有64个页,每个页容量为2 KB,外加64 B的备用空间,组成256 K行×(2 K+64)列的存储阵列,其地址用5个字节表示[1]。
    K9F4G08具有自己的指令集,可以完成对Flash一个页的读、写以及对一个块的擦除等操作。有严格的时序要求以保证芯片正确地执行相应的指令。Flash在出厂时会有坏块[1],坏块是无法操作的,这对于连续大批量的数据存储来说有一定的难度,需要建立一套Flash空间管理方案以保证坏块不被读写,提高数据读写的可靠性。
    用FPGA直接管理Flash不仅是一种可行的方案,而且还能精简硬件结构。但与具有专用Flash接口的MCU或ARM等高档嵌入式微处理器不同,FPGA不能通过简单的读写指令编程管理Flash,而必须按照时序要求对Flash的端口进行指令和参数的具体操作。若FPGA的主状态机直接管理Flash,将会使状态机的状态数量大量增加,代码将异常复杂,甚至无法完成设计[2][3]。
    为解决上述问题,本文设计了一个Flash控制器controller_4G08,它建立了自己的指令集,可以方便地实现FPGA对Flash的控制和读写操作。FPGA主状态机可以在系统时钟频率下对controller_4G08发送指令,然后等待controller_4G08返回的中断,中断返回即表示操作完成,无需关心Flash要求的操作时序。采用这个控制器将大大简化FPGA主状态机的状态数量,方便设计和调试,同时代码具有很强的可移植性。
1 controller_4G08的设计方案
    理论上讲FPGA可以直接对Flash操作,但这样会使主状态机状态很多,程序繁琐,当需要大批量数据反复读写时很不方便。本文设计了一个控制器controller_4G08,用这个控制器完成数据指令读写的时序操作。
    用controller_4G08管理Flash的系统框图如图1所示。FPGA部分有2个模块:主状态机和controller_4G08,它们之间的端口连接包括4 bit指令端口cmd_code_4G08、8 bit数据输入输出端口data_in_4G08与 data_out_4G08、中断信号int_ctl_4G08;FPGA对K9F4G08芯片接口包括8 bit双向数据端口data_4G08、忙标志rb、读使能we、写使能re等端口。FPGA主状态机若想对Flash进行操作,只需要通过cmd_code_4G08向controller_4G08发指令,按照系统时钟通过data_in_4G08与 data_out_4G08收发数据,然后controller_4G08会对K9F4G08执行相应的操作,指令执行完之后会通过int_ctl_4G08给主状态机一个中断信号,告诉主状态机执行完毕。FPGA主状态机不必关注Flash指令操作的时序问题,从而使设计简化。

2 controller_4G08的指令集
    K9F4G08具有自己的指令集,以读操作为例,其操作过程是:首先发送命令00h,再发5个周期地址,最后发送命令30h。Flash开始读相应的页,此时rb信号为低(表示Flash处于busy状态),等到rb信号为高,再按照时序改变读使能信号,便可将1个页的数据依次读出[1]。
    controller_4G08根据K9F4G08的指令集建立了自己的指令集,新增了全擦、部分擦指令,并且在读写指令前加入了坏块匹配功能,如表1所示。

2.1 匹配表
    Flash出厂后可能存在坏块,使用中也有可能会再出现新的坏块。制造商保证每个芯片中的坏块不多于80个,同时保证第0个块肯定是好的,且保证擦写1 000次不坏[1]。当进行连续地址的数据读写时有可能遇到坏块,坏块无法进行操作,会导致数据的丢失。因此必须建立一个匹配表,当遇到坏块时,将其匹配到好块的地址上。
    实际的数据读写中只使用4 000个块,根据这些要求设计了这样的匹配表:长度512 B,存放在第0个块的第0个页(B0P0)。具体内容见表2。

    一个块的地址用2 B的16进制数表示。256 B可以存储128个块地址。0~255与256~512中存储的块地址是一一对应的,当使用到0~255中的块地址时,需要从256~511中寻找对应的块地址进行替换。
    在FPGA中生成一个512 B的ram:ram_512,专门用于存放匹配表,当系统上电复位后,状态机会自动将B0P0的数据读出,并将前512 B的数据存入该ram_512中,以便后面匹配时使用[4]。
2.2 全擦与部分擦指令
    该指令用于擦除所有的块,建立新的匹配表。由于坏块会导致擦除不成功,状态机在擦除过程中会记录下1~4 000个块中擦除失败的坏块的地址、4 000~4 095个块中好块的地址,先按照匹配表规定的顺序写入ram_512,全部擦除完成后将ram_512中的数据写入B0P0。由于数据量不足2 KB,因此后面补零。其流程图如图2所示。

    部分擦除与全擦类似,执行这条指令需要给定起始与结尾的块地址,controller_4G08可以完成对2个块地址之间所有块的擦除。当擦除过程中擦到坏块时,状态机会从匹配表中寻找该坏块对应的好块,并擦除。若没有寻找到该坏块的匹配块,则出现了新的坏块,会产生一个报错的标志位,提示主状态机需要进行全擦,以便建立新的匹配表。
2.3 读写匹配
    如果遇到坏块,会造成读写失败,为了满足大批量数据读写的连续性,在读写数据之前必须对当前块地址进行匹配,这些工作由controller_4G08完成,当主状态机给controller_4G08发送块地址后就会执行。
    Flash读写是对页操作的,一次2 KB。FPGA中有一个4 KB的ram:ram_4096,用来作为缓冲区存放数据。当需要向Flash中写入数据时,主状态机向controller_4G08发Page_program指令,发送5 B地址,controller_4G08会自动进行块地址匹配,匹配完之后会给主状态机一个中断信号,主状态机收到这个信号便开始将ram_4096中的数据发给controller_4G08,之后等待中断,收到中断说明写指令执行成功。
    当需要读取数据时,主状态机向controller_4G08发Page_read指令,发送5字节地址,controller_4G08会自动进行块地址匹配及Flash的页读操作,等中断一到便开始接收来自controller_4G08的数据并存至ram_4096中。
    controller_4G08中有一个存放上次块地址的寄存器,每次进行读写操作时,会将当前块地址与上次的块地址进行比较,若相同则说明是好块,可以读写;若不同则需要进行匹配。状态机会从ram_512中寻找该块是否为坏块,进行一系列处理。与擦除指令一样,当读写操作遇到新的坏块时,也会向系统报错。匹配流程图如图3所示。

3 controller_4G08主状态机
    图4是主状态机的状态转换图,系统上电复位后,主状态机将进入等待使能信号状态。收到使能信号后,主状态机会从cmd_code_4G08中读取操作码,然后启动对应的子状态机,执行对应的操作。子状态机执行完毕以后就会通过int_ctl_4G08发送给主状态机一个中断信号,同时将执行结果返回。主状态机收到中断信号后,又进入空闲状态等待下一个使能信号。这样设计的主状态机随时都可以添加新的指令,可扩展性强[4-5]。

4 FPGA下装验证结果
    采用FPGA开发板进行验证。此开发板的硬件资源包括Cyclone的FPGA:EP1C12Q240C、3片Flash:K9F4G08、1片USB总线控制芯片:CH372。利用FPGA控制CH372,可以完成FPGA与PC通过USB进行数据收发[6]。
    在PC上用VB软件编写了调试软件[7],利用该软件可以通过USB口向FPGA发送指令,从而完成对任意Flash页的读、写及全擦。
    首先进行Flash全擦,读取B0P0即可看到匹配表。从匹配表中找到一个坏块的地址对其写入2 KB的数据,然后断电再上电,读取该坏块地址,比较写入与读出的数据发现完全一致,从而验证了本设计的坏块管理和坏块匹配方法的正确性。通过软件操作,对普通好块的读写也是正确的,这里就不再说明了。
    本文用FPGA主状态机直接管理controller_4G08、controller_4G08控制芯片的设计方案可以减少主状态机的状态数量,使FPGA很方便地实现Flash控制功能,设计更加容易实现,具有较强的可复用性与移植性。同时建立了一套完善的Flash文件管理机制。目前该控制器模块已经应用于数据采集回放系统中[8-9]。
参考文献
[1] Samsung.K9F4G08手册.2006.
[2] 王崇剑,李玉山.基于FPGA的K9F2G08U0M Nand FLASH控制器设计[J].电子元器件应用,2008,10(3):4-7.
[3] 陈明义,连帅军,周建国.基于FPGA的FLASH控制器系统设计及实现[J].电子科技,2008,21(7):11-13.
[4] 王诚,吴继华.Altera FPGA/CPLD设计[M].北京:人民邮电出版社,2005.
[5] 夏雨闻.Verilog数字系统设计教程[M].北京:北京航天航空大学出版社,2003.
[6] 南京沁恒电子有限公司.CH372中文手册(一).2007.
[7] 刘彬彬,高春艳,孙秀梅.VB从入门到精通[M].北京:清华大学出版社,2008.
[8] 李兰,宁永海,基于CH372的USB数据采集系统的设计与实现[J].微计算机信息,2007,23(12):76-77.
[9] 周治良,刘俊,张斌珍.基于FPGA及FLASH的数据采集存储系统设计[J].微计算机信息,2007,23(31):91-92.

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