英飞凌交付业界首款具有砷化镓性能的CMOS射频开关
2008-03-05
作者:英飞凌
英飞凌" title="英飞凌">英飞凌科技股份公司(FSE/NYSE: IFX)近日宣布,该公司正在批量供应全球第一款" title="第一款">第一款采用CMOS工艺在硅晶圆上制成的射频开关" title="射频开关">射频开关,这种射频开关具有与采用砷化镓(GaAs)工艺制成的射频开关相同的性能——这是一项前所未有的技术突破。迄今为止,CMOS射频开关只能采用专用的、价格昂贵的蓝宝石晶片制作才能达到砷化镓" title="砷化镓">砷化镓开关的性能。
全新产品系列中的第一款CMOS射频开关BGS
英飞凌科技" title="英飞凌科技">英飞凌科技股份公司硅组件高级主管Michael Mauer表示:“英飞凌的CMOS射频开关采用小型芯片级封装,无需更多额外组件(比如电平转换器),从而为电路板设计节省了更多空间,随着现代多模式移动设备复杂度的不断增加,预计射频开关将在未来五年内取代今天的PIN二极管。”
据位于波士顿的美国市场调查机构Strategy Analytics的调查显示,2006年,射频开关全球市场规模约为20亿片,预计到2011年市场规模将翻番达到约40亿片。
英飞凌的新型射频开关采用独一无二的射频CMOS工艺制成,它将CMOS工艺的益处和杰出的射频性能结合起来,比如低插入损耗、低谐波失真、良好的绝缘性和高功率电平等特性。固有的CMOS优势包括高度集成能力、成本效益和优异的静电放电(ESD)耐受性。与现有的解决方案相比,CMOS射频开关具有最高的集成能力;比GaAs器件成本更低;由于电流损耗被大大减少,它比PIN二极管具有更长的电池使用时间。所有英飞凌射频开关都无需外部直流(DC)阻隔电容并且集成了全部控制逻辑。CMOS兼容逻辑电平(1.4 V-2.8 V)消除了对外部电平转换器的需要。
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英飞凌将推出新型射频开关系列的其他产品,这些开关产品将采用其他封装类型,包括16管脚小型无引线封装(TSLP),38dBm的更高功率电平以及适用于多种无线产品的最多9个收发端口。其他产品的批量生产预计将于2008年下半年开始。
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关于英飞凌
总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑战领域——高能效、连通性和安全性提供半导体和系统解决方案。2007财年(截止到9月份),公司实现销售额77亿欧元(包括奇梦达的销售额36亿欧元),在全球拥有约43,000名雇员(其中奇梦达雇员约13,500人)。英飞凌科技公司的业务遍及全球,在美国苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。英飞凌公司已列入法兰克福股票交易所的DAX指数,并在纽约股票交易所挂牌上市,股票代号:IFX。
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