为维持市场竞争力，各大半导体厂商无不砸下重本投资研发。根据市场研究机构SemicoResearch统计，2015年半导体厂的总资本支出额预估可达687亿美元，较2014年的633亿成长9%，并打破2011年638亿美元的记录。

　　SemicoResearch技术研究总监AdrienneDowney指出，2015年半导体总资本支出额的90%来自十五间主要大厂。前五名成员与2014年相同，唯顺序更动。三星(Samsung)蝉联第一，台积电跃升第二，去年亚军英特尔(Intel)则退居第三。海力士(Hynix)与格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)在2014年各为第四及第五名，今年则因格罗方德投资额增加22%而名次互调。

　　前十五大厂商中，投资额成长幅度最高的是索尼(Sony)的207%，总额约20亿美元。大部分的资本支出都投入在提升影像感测器(ImageSensor)产能上，有些则投入在索尼相对陌生的相机模组(CameraModule)产能上。索尼的资本支出成长额仅次于三星，其中日币贬值是部分因素。

　　资本支出排名第一的三星，先前在2014年10月签署合作备忘录(MOU)计画新建晶圆厂，今年5月7日的动工仪式上更宣布投资143亿美元，预计厂房将于2017年启用并在上半年开始上线生产。三星期望该厂能达到业界最高产能，厂址面积约79万平方公尺。

　　Downey表示，针对该厂制造的产品三星并不愿透露太多，仅称将主打手机、伺服器以及物联网(IoT)市场，推论可能包括手机及伺服器动态随机存取记忆体(DRAM)，以及感测器或处理器晶片。

　　排名第二的台积电，今年成功量产16奈米制程，大幅提升资本效益，使得2015年的资本支出减少10亿美元，总额降至108亿美元。即便如此，台积电今年支出总额仍大幅高于排名第三的英特尔。

　　由于良率和产能利用率改善，英特尔2015年的资本支出额较去年少10亿美元，来到87亿美元。英特尔表示，资本支出缩减情形对该公司而言并非第一次发生，位于美国亚利桑那州的Fab42厂自2014年1月以来毫无启用消息即是明显证明。

　　至于格罗方德，2015年增加约10亿美元的资本支出，几乎全数投入纽约厂的14奈米制程。

　　另值得注意的是，中国大陆晶圆代工厂中芯国际(SMIC)将于2015下半年新增两间晶圆厂。其位于北京的300毫米B2厂正着手40奈米与 28奈米制程，设备完善后将能达成35,000片的月产能。中芯国际同样也在深圳厂增加20,000片8寸晶圆的月产能。最初的10,000片月产能将在 2015年第三季进行商业生产，另一半则会在2015年底加入。

　　中芯国际高层预估8寸晶圆的产能将持续短缺，此波增量因此会持续到2016年。中芯国际今年总资本支出成长50%来到15亿美元，其中8亿元将会投入北京厂的12寸晶圆产能;其余部分则会投入到深圳厂的8寸晶圆产能。