DRAM发展快到尽头，磁性记忆体(MRAM)和相变记忆体(PRAM)是最有潜力的接班人？IBM和三星电子最近宣称，“自旋传输磁性记忆体(STT-MRAM)”的研究出现突破，有望加速走上商用之途。

　　韩媒BusinessKorea 11日报道，IBM和三星在电机电子工程师学会(IEEE) 发布研究论文宣称，两家公司携手研发的STT-MRAM的生产技术，成功实现10奈秒(nanosecond)的传输速度和超省电架构，理论上表现超越DRAM。

　　STT-MRAM借着改变薄膜内的电子旋转方向、控制电流，表现效能和价格竞争力都优于DRAM。最重要的是，DRAM很难微缩至10纳米以下，STT-MRAM则没有此一困扰。业界人士表示，STT-MRAM是次世代记忆体中最实际的替代方案，95%的现行DRAM生产设备皆可用于制造STT-MRAM。IBM和三星之外，SK海力士(SK Hynix)和东芝(Toshiba)也协力研发此一技术。

　　除了STT-MRAM，近来相变记忆体(PRAM)也备受瞩目，英特尔的3D Xpoint就包含PRAM技术。PRMA结合DRAM和NAND Flash优点，速度和耐用性提高1千倍，不过目前仍在理论阶段。

　　去年7月29日英特尔、美光宣布开发出新世代记忆体技术“3D Xpoint”，储存的资料比DRAM高出十倍，读写速度与耐受度更是NAND型快闪记忆体的1千倍之多，如此革新的技术让三星电子、SK Hynix大为紧张。3D XPoint类似次世代ReRAM或PRAM科技，能完全改变资料储存的方式，半导体专家相信，自从东芝在1987年首次展示NAND型快闪记忆体之后，3D XPoint会是这30年间一个相当重要的变革。

　　韩媒BusinessKorea去年6月报道，韩国半导体业者指出，16纳米将是DRAM微缩制程的最后极限，10 纳米以下制程需要缩小电晶体体积，但是薄膜厚度却无法缩减，也可能不适合采用高介电常数（High-K）材料和电极。MRAM和ReRAM因此备受期待，认为可以取代DRAM和NAND Flash，业者正全力研发。