在今年年初，三星、台积电、英特尔在10nm制程上良率的不佳的问题被接连曝光了，其中影响最大的莫过于三星了，因为高通计划在今年第二季度正式戳骁龙835处理器，良率的问题将会导致持续的供货不足；英特尔是最放松的，他们在2017年年初发布了采用14nm的kabyLake，10nm工艺依旧没有被引进到生产之中；台积电的10nm 工艺同样出现了良率低的问题，不过在台积电的最大客户苹果准备在9月发布新品，所以他们依然有时间来解决良率太低的问题。

如果10nm未能达到台积电欲其中的良率，那么产能不足的问题将会持续，对于其他客户来说，无法拿到最先进的10nm工艺，那么采用改良版的16nm也是一个非常不错的选择。台积电的16nm工艺最早在2015年开始量产，虽然外界很多消息表示台积电的16nm和三星的14nm只是20nm工艺的改良版本，不过在性能和功耗上要强于20nm很多。在传出台积电10nm工艺良率不加的时候，关于台积电将推出12nm救场的消息就开始了。

台积电这一次推出的10nm工艺，其实就是现有16nm工艺的微缩改良版，具有更低的漏电率和成本，并且在线宽方面超越了三星的14nm工艺。台积电将16nm改良版更名为12nm的目的是反击三星、格罗方德、中芯国际等竞争对手的工艺优势，牢牢掌控10－28nm的晶圆代工市场。

其实格罗方德在去年就退出了12nm FD－SOI工艺，与16nm FinFET工艺相比，12nm制程能够将功耗降低50％，性能提升15％，掩膜成本较10nm降低40％。不过由于三星方面已经明确表示，他们的10nm工艺主要是针对低功耗平台，所以格罗方德直接跳过了10nm，开始了7nm工艺的研发。

虽然台积电将16nm工艺使用了四代，不过工艺更成熟的他们可以在更短的时间内实现量产出货；而格罗方德则稍显尴尬，他们的12nm FD－SOI要量产还需要更多的时间，这也将会导致他们继续落后世界最先进的半导体制造。