2017年，十亿美元资本支出俱乐部成员将增长到15家。今年，顶级半导体企业的资本支出将会占到整个行业总支出的83%。

IC Insights最新公布了一份报告，该报告主要包括2017年最新的IC市场预测，对于2017年第一季度半导体产业市场的一些观点，全球前25名的半导体供应商的看法，以及与之相关的资本支出的预测更新。

图一显示了从2007年到2017年“十亿美元俱乐部”的变化情况。总的来说，2017年，预计将会有15家半导体公司的资本支出超过十亿美元，这一数字在2016年为11家，2013年只有8家。

据预测，2017年，随着对快速增长的汽车半导体市场的投入增长，英飞凌和瑞萨在今年的资本支出将会超过十亿美元，正式步入“十亿美元俱乐部”。 “十亿美元俱乐部”今年新晋的成员还可能包括ST和Nanya。

此外，IC Insights相信，随着中国厂商对新工厂投入的不断增长，在不久的未来，将会有一些中国厂商步入主要资本支出企业的行列。

通过图一，我们不难发现，15家主要资本支出厂商中，有4家是纯晶圆代工厂，而这15家公司的资本支出的总额也非常惊人。据预计，15家企业的总资本支出占到了2017年整个半导体产业总支出的83%。

其中，2017年，英特尔、三星、格罗方德和SK Hynix预计将会增加其资本支出，为资本支出增长的主要源头。

其中，与2016年相比，三星将会增加32亿美元资本支出，英特尔将会增加23亿7500万美元资本支出，格罗方德将会增加8亿6500万美元，SK Hynix则为8亿1200万美元。这四家公司的资本支出总计为72亿5200万美元，而2017年半导体行业总的资本支出总增长仅为80亿2100万美元，四家公司的总投资已经占据了预测的90%。

从产品角度来看，DRAM/SRAM预计将会是今年最大的资本支出增长点，会有31%的增长。来自于DRAM ASP的报告显示，从2016年第三季度开始，DRAM厂商就已经开始加大对于这一方面的支出。另一方面，2016年Flash memory（146亿美元）的资本支出也明显高于DRAM（85亿美元）。

总而言之，IC Insights认为，在2016年和2017年，厂商对于Flash memory技术的资本支出主要以3D NAND技术为主，而不是平面存储技术。韩国厂商对于3D NAND技术的资本支出将会在2017年迎来大幅上涨，尤其是在三星的韩国工厂建成之后。

图一  Report Details: The 2017 McClean Report