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半导体“十亿美元俱乐部”再扩容:增长至15家

2017-06-06

2017年,十亿美元资本支出俱乐部成员将增长到15家。今年,顶级半导体企业的资本支出将会占到整个行业总支出的83%。

IC Insights最新公布了一份报告,该报告主要包括2017年最新的IC市场预测,对于2017年第一季度半导体产业市场的一些观点,全球前25名的半导体供应商的看法,以及与之相关的资本支出的预测更新。

图一显示了从2007年到2017年“十亿美元俱乐部”的变化情况。总的来说,2017年,预计将会有15家半导体公司的资本支出超过十亿美元,这一数字在2016年为11家,2013年只有8家。

据预测,2017年,随着对快速增长的汽车半导体市场的投入增长,英飞凌和瑞萨在今年的资本支出将会超过十亿美元,正式步入“十亿美元俱乐部”。 “十亿美元俱乐部”今年新晋的成员还可能包括ST和Nanya。

此外,IC Insights相信,随着中国厂商对新工厂投入的不断增长,在不久的未来,将会有一些中国厂商步入主要资本支出企业的行列。

通过图一,我们不难发现,15家主要资本支出厂商中,有4家是纯晶圆代工厂,而这15家公司的资本支出的总额也非常惊人。据预计,15家企业的总资本支出占到了2017年整个半导体产业总支出的83%。

其中,2017年,英特尔三星、格罗方德和SK Hynix预计将会增加其资本支出,为资本支出增长的主要源头。

其中,与2016年相比,三星将会增加32亿美元资本支出,英特尔将会增加23亿7500万美元资本支出,格罗方德将会增加8亿6500万美元,SK Hynix则为8亿1200万美元。这四家公司的资本支出总计为72亿5200万美元,而2017年半导体行业总的资本支出总增长仅为80亿2100万美元,四家公司的总投资已经占据了预测的90%。

从产品角度来看,DRAM/SRAM预计将会是今年最大的资本支出增长点,会有31%的增长。来自于DRAM ASP的报告显示,从2016年第三季度开始,DRAM厂商就已经开始加大对于这一方面的支出。另一方面,2016年Flash memory(146亿美元)的资本支出也明显高于DRAM(85亿美元)。

总而言之,IC Insights认为,在2016年和2017年,厂商对于Flash memory技术的资本支出主要以3D NAND技术为主,而不是平面存储技术。韩国厂商对于3D NAND技术的资本支出将会在2017年迎来大幅上涨,尤其是在三星的韩国工厂建成之后。

半导体“十亿美元俱乐部”再扩容:增长至15家

图一  Report Details: The 2017 McClean Report


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