新器件将快闪存储控制器扩展至主流领域

　　致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC)宣布了Flashtec? NVM Express (NVMe) 2108八通道控制器的量产版本，推动全球范围主要的企业和数据中心实现高成本效益和高功效的大容量固态硬盘(SSD)。这个器件以强大的主流性能，并且支持16GB和更大容量，扩展美高森美在NVMe控制器领域的领导地位。客户可以通过高固件可重用性，最大限度地减少工程技术开支，并且获得Flashtec NVMe 控制器产品线的架构一致性。新控制器系列使用17x17mm封装供货，支持包括M.2、U.2和半高半长(HHHL)插入卡的全部流行外形尺寸。

　　美高森美高性能存储副总裁兼业务部门经理Derek Dicker表示：“我们的量产版本Flashtec NVMe2108控制器使得客户不仅获得他们所要求的美高森美企业级特性和成熟的企业级架构，并且具有更低的功耗和成本结构，以符合主流PCIe领域的要求。我们期待充分利用这些器件把握令人兴奋的市场增长机会，并且，我们将会继续利用公司精深的专业技术来提供PCIe NVMe SSD控制器解决方案，服务于严苛的存储系统、服务器和机架式可扩展架构 数据中心应用。“

　　根据市场研究机构IDC题为“2017至2021年全球范围固态硬盘预测”(Worldwide Solid State Drive Forecast, 2017-2021)报告，这个行业继续快速转向基于PCIe的 SSD产品，预计到2021年将会占企业SSD销售额的50%以上。随着NVMe SSD价位接近相近的串行先进技术附着(SATA) SSD器件，正在取而代之，成为了其增长的主要驱动力。

　　Micron存储产品营销副总裁Eric Endebrock表示：“美高森美发布全新Flashtec器件，显示该公司继续加快在主流企业市场中采用PCIe 闪存。这些主流控制器支持大容量，这与利用Micron快速产量爬坡的64 层512Gb 3D TLC和未来技术是一致的。”

　　东芝存储器公司技术高管Hiroo Ohta表示：“美高森美和东芝存储器公司建立了长期的合作关系，在市场推出同级最佳的PCIe SSD解决方案。我们相信美高森美全新控制器产品和我们的BiCS FLASH TLC，以及即将推出的创新QLC技术，将会引发扩大企业和数据中心市场的新机会。”

　　Flashtec NVMe2108控制器具有成熟的架构，以及面向主流应用并且经过优化的功耗和成本特性，同时保持了包括双端口、独立扩频参考时钟(SRIS)功能和端至端数据保护功能的企业级特性。因其提供可编程的架构， 通过自定义固件实现使能SSD产品差异化。它们的自适应低密度奇偶校验码(LDPC)可以支持现有和未来数代符合Toggle and Open NAND Flash Interface (ONFI)标准的闪存，包括双数位单（MLC) 和三数位单元（TLC），以及未来产品开发中的QLC。NVMe2108HC和NVMe2108LC变异型款支持不同的容量点，以期符合特定的行业需求。

　　光宝集团(Liteon Storage Group)首席技术官Andy Hsu表示：“我们对于美高森美NVMe2108控制器的技术功能印象深刻，这些创新器件可让我们满足日益提升的性能、容量和企业功能特性，这些都是Liteon数据中心客户所要求的。”

　　SK 海力士公司NAND产品规划办公室主管副总裁 S.H. Choi表示：“美高森美全新主流SSD控制器与NAND容量和LDPC趋势完美配合，可以支持数代产品开发工作。SK 海力士公司下一代72 层3D NAND和美高森美的先进LDPC技术将是SSD产品的完美技术结合。”