三星携手ARM优化7纳米及5纳米制程芯片 瞄准台积电而来
2018-07-10
虽然2018年包括台积电、三星、格罗方德都要导入7纳米制程技术。其中,三星为了追赶台积电,还在首代的7纳米(LPP)制程中导入EUV技术。不过,台积电也非省油的灯,除了积极布局7纳米制程技术之外,2018年初也已经宣布在南科启动5纳米建厂计划,正式投入5纳米制程的研发。因此,三星为了能缩减与台积电的差距,5日正式宣布携手知识产权大厂安谋(ARM),双方协议将进一步优化7纳米及5纳米制程芯片。
三星7纳米LPP制程虽然将在2018下半年初步量产,第一款使用EUV极紫外线光刻技术的知识产权(IP)也在开发,预计2019上半年正式问世。三星下一代5纳米LPE制程则以7纳米EUV制程技术改良,带来更小的核心面积,以及更低功耗。
ARM之前也发表了以三星7纳米LPP制程及5纳米LPE制程为基础的Artisan物理IP,包括高解析逻辑架构、存储器编译器综合套件、1.8V及3.3V通用型之输入输出(GPIO)库等。此外,三星7纳米LPP制程及5纳米LPE制程,ARM还在最新支援DynamIQ技术的处理器提供Artisan POP IP,该技术可达成最佳化ARM处理器,并更快推向市场。
根据双方协定,未来ARM的Cortex-A76核心将在三星7纳米及5纳米制程技术,达成超越当前ARM最快2.8GHz频率的3GHz+高频率效能,以提供更强大的运算能量。
虽然三星与ARM合作听起来有远大的愿景,但市场人士指出,比起技术层面提升,现阶段三星最大的问题是如何博取更多7纳米制程客户的青睐。因为竞争对手台积电之前表示,目前已握有超过50家客户的流片,而三星依然还没有确认哪些客户会选择他们的7纳米制程。即便三星与ARM、Synopsys、Cadence等合作伙伴达成各项技术协议,对产品销售仍没有太大帮助。