事实上，中国三大存储器项目的起始年份都在2016年。

长江存储：2016年2月23日国务院批复国家存储器基地落户武汉；2016年3月28日国家存储器基地奠基；2016年7月26日长江存储科技有限责任公司成立；2016年12月30日正式开工建设。

晋华集成：福建省“十三五”规划纲要提出，建设福州、厦门、泉州、莆田等集成电路产业基地，形成沿海集成电路产业带。2016年2月26日，晋华存储器集成电路生产线项目正式落地晋江，这个三级政府合资的大手笔项目，目标直指芯片国产化。

长鑫集成：长鑫集成起源于“506项目”，据悉在2016年5月6日，兆易创新朱一明董事长和合肥市及经开区主要领导研讨合肥的存储器项目发展战略，因而得名。“506”项目的主体包含长鑫集成、长鑫存储、睿力集成三个运营主体，项目的发展目标就是为国内自主发展主流 DRAM 存储器 IDM迈大步。2016年6月13日长鑫集成注册成立。

时间来到2018年，三大存储器厂商都将开始试投片，到2019年产能将逐步释放。

根据笔者的统计，2018年第一季度长鑫集成率先移进机台设备，第二季度长江存储正式移进机台设备，而在第三季度晋华集成已经正式移进机台设备，国内三大存储器厂商“砸资金”和“见真功”的时候到了。

三大存储器项目的重要时间节点 

芯思想研究院经过和三大存储器项目的沟通和拜访，为大家列出三大存储器项目的重要时间节点。

长江存储作为国家存储器基地项目，主要产品为3D NAND，将以芯片制造环节为突破口，集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体。国家存储器基地项目规划，预计5年投入1600亿元（约合240亿美元），到2020年形成月产能30万片的生产规模，到2030年建成每月100万片的产能。项目预计2018年第四季度实现32层64G NAND FLASH小规模量产，初期月产能5000片。

晋华集成(JHICC)是由福建省电子信息集团、及泉州、晋江两级政府共同出资设立，被纳入我国“十三五”集成电路重大生产力布局规划。晋华集成电路与台湾联华电子开展技术合作，专注于随机存取存储器（DRAM）领域。预估2018年9月正式投产，到2019年底一厂一期项目可实现月产6万片12英寸晶圆的产能，到2020年底一厂二期也将达产6万片。并适时启动二厂的建设，到二厂达产时，总产能将达24万片。

2018年7月16日，长鑫集成传来喜讯，公司是国内第一家正式投片的存储器项目。

2017年10月，兆易创新（603986）与合肥产投签署了《关于存储器研发项目之合作协议》，双方在合肥经开区开展19纳米DRAM合作项目，预算约为180亿元人民币，目标是在2018年12月31日前研发成功。该项目所需投资由兆易创新与合肥产投公司根据1:4的比例负责筹集，资金投入的方式包括但不限于由双方直接或间接股权投资或通过自身或指定主体提供借款实现。在未来产能方面约定，项目研发及生产的DRAM等优先供兆易创新销售并满足其客户的市场需求，以及优先承接其DRAM产品的代工需求。

全球存储器市场

目前全球存储器市场主要分为DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大部分。由于NOR FLASH市场太小，全球年销售规模不足10亿美元，目前主要玩家是旺宏、华邦和兆易创新。文章主要涉及DRAM、NAND FLASH。

先看NAND FLASH情况。

全球NAND FLASH厂商主要有三星、SK海力士、美光、东芝、西部数据、英特尔等六家；长江存储起码排名全球第七。

目前三星主要依托韩国的FAB12/FAB16/FAB18和西安的FAB1X等四个工厂进行生产，截止2018年第一季度，三星的NAND FLASH月产能高达50万片，其中3D NAND月产能约28万片。依据公司规划，FAB12/FAB16/FAB1X已经达到满载，2018年的增长主要来自FAB18。

除三星的FAB18厂扩产外，SK海力士的M14、美光的美国Lehi和新加坡Fab 10X、东芝Fab 2/Fab 6，以及英特尔大连厂(Fab 68)都在进行扩产。

SEMI报告显示，从设备支出数据来看，2017年NAND产业设备支出约190亿美元，较2016年100亿美元爆发性成长，预估2018年NAND产业设备支出上看200亿美元；从产能上看，3D NAND产业的产能在2017年成长130%，2018年预计再成长48%。

再看DRAM情况。

DRAM主要是三星、SK海力士、美光等三巨头以及台湾的华亚科技、华邦电子，长鑫集成和晋华集成无论如何都排名前七。

两大韩系厂商三星、SK海力士是积极扩产，三星在FAB18 P1厂房和FAB 15、SK海力士的M14、美光Fab 15和Fab 16都有DRAM扩产计划，但主要的增加仍是三星、SK海力士。

SEMI报告显示，从设备支出数据来看，2017年DRAM厂设备支出约130亿美元，较2016年是成长一倍，预计2018年持续成长至140亿美元水平；从产能上看，2017年DRAM产能增加幅度是3%，2018年成长幅度上看10%。

2017年全球存储器市场高达853亿美元，根据SEMI统计，存储器需求端未来呈现大喷发姿态，一直到2021年，DRAM需求端的成长率高达30%，而NAND Flash更是高达45%。

根据业界人士分析，存储器产业的增长有四大驱动力，第一为物联网(IoT)相关应用；第二类是大规模运算，涵盖固态硬盘、存储器磁碟阵列、深度学习系统等；第三类是汽车电子相关应用；第四类是消费性产品、通讯产品等。

三大项目如何评判

从目前公布的时间节点来看，三大存储器项目的进度似乎差不多，基本上都是2018年试投片，2019年进入量产阶段。至于什么时间企业能实现赢利，这是个可望但不可急的目标。做为国家战略项目，盈利应该不是短期内的目标。

根据规划，长鑫集成主攻移动式内存产品，目前中国品牌手机出货已占全球四成以上，LPDDR4能顺利量产并达到理想的良率，将有助于进口取代的策略。

晋华集成专注利基型内存的开发，将凭借着国内庞大的内需市场迅速壮大自身，如果产能爬坡和良率提升能够如期完成，将影响国际巨头在中国市场的销售策略，目前和美光的诉讼案已经影响了美光在国内的布局，虽然影响的产品仅占美光的不足1%，但后续发展值得期待。

长江存储代表国内实现3D NAND量产的全新起点，2018年第四季度进入小规模量产，2019年进入64层128Gb 3D NAND的技术研发；4月11日在“2018供应商大会”上宣布，公司的32层3D NAND芯片已经接获首笔订单，数量达10776颗芯片，将应用在8GB USD卡上，这代表国内3D NAND芯片研发已经跨出成功的第一步，不但研发成功，并且进入商用化！

三大存储器已经做好了与国际巨头抢市场的准备，不管未来如何，我们都要坚持。无论是国家支持的项目，还是地方政府支持的项目，都要具有民族产业发展的胸怀。

坚持就是胜利。