因为英特尔14纳米x86 CPU 产能短缺，比特币价格下跌造成的中低阶挖矿机需求不振，及新兴市场货币贬值造成的中低阶手机销售不佳，加上3D NAND转到96层及DRAM转到19纳米以下制程工艺的产能增加，等等因素叠加造成明年内存DRAM和闪存NAND预计将会有3－5％的供过于求，价格下行趋势确立，而将造成2019年整体存储器芯片产业同比衰退5－9％及全球半导体产业同比衰退1－4％。但此次下行趋势预计不超过18个月。

美光预估第四季度前景低于市场预期

美光预期第四季度销售环比衰退2－6％，同比成长降速为16－22％（低于第三季度的38％同比成长），并且低于市场预期近4％。虽然美光预期57－60％毛利，49％营业利益，44％的净利率都与市场预期相同，但远低于前两季度的61％毛利，51－52％营业利益，49－51％的净利率。美光认为第四季度销售低于预期是因为英特尔14纳米x86 CPU 短缺可能持续到明年第一季度（我们认为英特尔应该是短暂将产能转去帮苹果三款新手机做XMM7560基频芯片）而造成某些特定客户开始清除因之前担心涨价而多建的库存，可能将持续数季度， 加上美国提高关税的不利影响。而在产业下行趋势拐点出现后，美光竟然提高2019年资本支出同比成长16％到105亿美金，预计透过96层3D NAND闪存的技术演进将闪存产能位元成长率（bit growth）拉高到超过40％（高于产业平均的35－40％同比成长）。

供给过剩，价格下行趋势确立

因为英特尔14纳米x86 CPU 产能短缺，比特币价格下跌造成的中低阶挖矿机需求不振，及新兴市场货币贬值造成的中低阶手机销售不佳，但加上3D NAND闪存转到96层及DRAM内存转到19纳米以下制程工艺的产能增加，预估明年内存DRAM （23－25％供给vs． 20％需求）和闪存NAND（43－45％ 供给vs． 40％需求）将会有3－5％的供过于求，价格下行趋势确立，预期在未来12个月内，DRAM内存每位元现货价格（bit price）同比将衰退超过20％，NAND闪存现货价格同比将衰退超过40％，而将造成2019年整体存储器芯片产业同比衰退5－9％及全球半导体产业同比衰退1－4％（但逻辑芯片将持续成长）。我们的预估是比存储器产业研究机构DRAMeXchange对明年存储器芯片产业5％的同比成长预估（DRAM 7％ 同比成长，NAND同比零成长）来的悲观许多，但DRAMeXchange最新出炉的报告也因近期供过于求，而下修今年第四季度的DRAM合约价格预期，从1－3％价格环比下跌下修到5％的价格下跌。

这次下行趋势有多糟？

虽然存储器价格下行趋势确立，但我们预估此次下行趋势应不超过18个月，英特尔14纳米x86 CPU 短缺状况应会于明年中之前改善，10纳米x86 CPU应于明年下半年量产，AMD 7纳米x86 CPU， 7纳米挖矿机及智能手机，5G手机等都将于明年出笼取代中低阶机种及对存储器半导体产生正面影响。因此我们预估大多数的内闪存存储器半导体公司会面对营业利润率从近50％的高档下滑，但却不至于步入亏损。

对中国产业的影响？

虽然主流DRAM和3D NAND的下跌对NOR，SLC （Single－Level Cell， 单层单元闪存） NAND都会造成不良的影响，但只要这次下行趋势不超过18个月，主流存储器芯片大厂不步入亏损，预期主流存储器厂商不会将大量产能转入利基型NOR和SLC NAND闪存市场而造成其价格崩跌。预计NOR和SLC NAND闪存领导厂商旺宏，华邦，兆易创新，武汉新芯将持续将产品从价格及获利下行的中、低密度NOR转为价格及获利较好的高密度NOR和SLCNAND，而让相关厂商同比获利衰退幅度相对较小。但此下行趋势对明年即将量产的中国主流存储器芯片大厂长江存储（3DNAND）， 合肥长鑫（Mobile DRAM），福建晋华（NicheDRAM）当然是雪上加霜。