东芝新型48V电气系统100V N沟道功率MOSFET问市
2019-12-25
来源：电子工程世界
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET。该系列包括具备低导通电阻的“XPH4R10ANB”-其漏极电流为70A，以及“XPH6R30ANB”-其漏极电流为45A。批量生产和出货计划于开始。
新产品是东芝首款[1]采用紧凑型SOP Advance（WF）封装的车用100V N沟道功率MOSFET。封装采用可焊锡侧翼端子结构，安装在电路板上时能够进行自动目视检查，从而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低导通电阻有利于降低设备功耗；XPH4R10ANB拥有业界领先的[2]低导通电阻。
应用：
?汽车设备
电源装置（DC-DC转换器）和LED头灯等（电机驱动、开关稳压器和负载开关）
特性：
?东芝的首款[1]100V车用产品使用小型表面贴装SOP Advance（WF）封装
?通过AEC-Q101认证
?低导通电阻：
RDS(ON)=4.1m?（最大值）@VGS=10V（XPH4R10ANB）
RDS(ON)=6.3m?（最大值）@VGS=10V（XPH6R30ANB）
?采用可焊锡侧翼端子结构的SOP Advance（WF）封装
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