2 月 28 日讯，据悉，在芯片先进工艺技术方面，国内的中芯国际目前仍旧处于追赶的姿态。台积电、三星今年将量产 5nm 芯片工艺，而国内最大的晶圆代工厂中芯国际去年底才量产了 14nm 工艺。不过该工艺技术已经可以满足国内 95%的需求了。

　　14nm 及改进型的 12nm 工艺是中芯国际第一代 FinFET 工艺，他们还在研发更先进的 N+1 括 N+2 FinFET 工艺，分别相当于 7nm 工艺的低功耗、高性能版本。

　　根据中芯国际联席 CEO 梁孟松博士所示，N+1 工艺和 14nm 相比，性能提升了 20%，功耗降低了 57%，逻辑面积缩小了 63%，SoC 面积减少了 55%。

　　N+1 之后还会有 N+2，这两种工艺在功耗上表现差不多，区别在于 性能及成本，N+2 显然是面向高性能的，成本也会增加。

　　至于备受关注的 EUV 光刻机，梁孟松表示在当前的环境下，N+1、N+2 代工艺都不会使用 EUV 工艺，等到设备就绪之后，N+2 工艺可能会有几层光罩使用 EUV，之后的工艺才会大规模转向 EUV 光刻工艺。

　　现在最关键的是中芯国际的 7nm 何时量产，最新消息称中芯国际的 N+1 FinFET 工艺已经有客户导入了(不过没公布客户名单)，今年 Q4 季度小规模生产——这个消息比之前的爆料要好一些，进度更快。

　　为了加快先进工艺产能，中芯国际今年的资本开支将达到 31 亿美元(该公司一年营收也不过 30 亿美元上下)，其中 20 亿美元用于中芯国际的上海 12 英寸晶圆厂，5 亿美元用于北京 12 英寸晶圆厂。