在所有电力电子应用中，功率密度是关键指标之一，这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限，设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓（GaN）来提供方案。

　　对于新技术而言，GaN 本质上比其将取代的技术（硅）成本低。GaN 器件与硅器件是在同一工厂用相同的制造程序生产出。因此，由于 GaN 器件小于等效硅器件，因此每个晶片可以生产更多的器件，从而降低了每个晶片的成本。

　　GaN 有许多性能优势，包括远高于硅的电子迁移率（3.4eV 对比 1.1eV），这使其具有比硅高 1000 倍的电子传导效率的潜力。值得注意的是，GaN 的门极电荷（QG）较低，并且由于必须在每个开关周期内对其进行补充，因此 GaN 能够以高达 1 MHz 的频率工作，效率不会降低，而硅则难以达到 100 kHz 以上。此外，与硅不同，GaN 没有体二极管，其在 AlGaN / GaN 边界表面的 2DEG 可以沿相反方向传导电流（称为“第三象限”操作）。因此，GaN 没有反向恢复电荷（QRR），使其非常适合硬开关应用。

　　图 1：GaN 经优化实现快速开关

　　GaN 确实具有有限的雪崩能力，并且比硅更容易受到过电压的影响，因此极其适用于漏 - 源电压（VDS）钳位在轨电压的半桥拓扑。无体二极管使 GaN 成为硬开关图腾柱功率因数校正（PFC）的很好的选择，并且 GaN 也非常适用于零电压开关（ZVS）应用，包括谐振 LLC 和有源钳位反激。

　　45 W 至 65 W 功率水平的快速充电适配器将得益于基于 GaN 的有源钳位反激，而基于 LLC 的 GaN 用于 150 W 至 300 W 的高端笔记本电脑电源适配器中，例如用于游戏的笔记本电脑。在这些应用中，使用 GaN 技术可使功率密度增加一倍，从而使适配器更小、更轻。特别地，相关的磁性元器件能够减小尺寸。例如，电源变压器内核的尺寸可从 RM10 减小为 RM8 的薄型或平面设计。因此，在许多应用中，功率密度增加了一倍甚至三倍，达 30 W / in3。

　　在更高功率的应用中，例如为服务器、云和电信系统供电的电源，尤其是基于图腾柱 PFC 的电源，采用 GaN 可使能效超过 99％。这使这些系统能够满足最重要的（和严格的）能效标准，如 80+ titanium。

　　驱动 GaN 器件的方法对于保护相对敏感的栅极氧化物至关重要。在器件导通期间提供精确调节的门极驱动幅值尤为重要。实现此目的的一种方法是添加低压降稳压器（LDO）到现有的硅 MOSFET 门极驱动器中。但这会损害门极驱动性能，因此，最好使用驱动 GaN 的专用半桥驱动器。

　　更具体地说，硅 MOSFET 驱动器的典型传输延迟时间约为 100 ns，这不适合驱动速度在 500 kHz 到 1 MHz 之间的 GaN 器件。对于此类速度，理想情况下，传输延迟应不超过 50 ns。

　　由于电容较低，因此在 GaN 器件的漏极和源极之间有高电压转换率。这可能导致器件过早失效甚至发生灾难性故障，尤其是在大功率应用中。为避免这种情况，必须有高的 dv / dt 抗扰度（在 100 V / ns 的范围内）。

　　PCB 会对 GaN 设计的性能产生实质性影响，因此经常使用 RF 型布局中常用的技术。我们还建议对门极驱动器使用低电感封装（如 PQFN）。

　　安森美半导体的 NCP51820 是业界首款半桥门极驱动器，专门设计用于 GaN 技术。它具有调节的 5.2 V 门极驱动，典型的传输延迟仅为 25 ns。它具有高达 200 V / ns 的 dv / dt 抗扰度，采用低电感 PQFN 封装。

　　图 2：NCP51820 高性能、650 V 半桥门极驱动器用于 GaN 电源开关

　　最初采用 GaN 技术并增长的将是如低功率快速充电 USB PD 电源适配器和游戏类笔记本电脑高功率适配器等应用。这主要归因于有控制器和驱动器可支持需要高开关频率的这些应用，从而缩短了设计周期。随着合适的驱动器、控制器和模块方案可用于服务器、云和电信等更高功率的应用，那么 GaN 也将被采用。