2019年Intel超越三星，夺回了全球半导体市场的一哥地位，过去27年以来Intel在这个榜单上把持了25年之久。再下一步，Intel还要在半导体技术上追上来，其7nm工艺晶体管密度就接近台积电3nm工艺了，5nm节点反超几乎是板上钉钉了。

    在半导体工艺节点的命名上，台积电、三星两家从16／14nm节点就有点跑偏了，没有严格按照ITRS协会的定义来走了，将节点命名变成了儿戏，Intel在这点上倒是很老实，所以吃亏不少，实际上他们的10nm节点晶体管密度就有1亿／mm2，比三星、台积电的7nm还要高一点。

    在10nm走上正轨之后，Intel宣布他们的半导体工艺发展将回到2年一个周期的路线上来，2021年就会量产7nm工艺，首发高性能的Xe架构GPU，2022年会扩展到更多的CPU等产品中。

    台积电上周正式公布了3nm工艺的细节，该工艺晶体管密度达到了2．5亿／mm2，预计在2021年进入风险试产阶段，2022年下半年量产。

    那Intel 7nm及以下工艺的水平如何呢？现在还没公布官方细节，不过Intel从22nm工艺到14nm是2．4x缩放，14nm到10nm是2．7x缩放，都超过了摩尔定律的2x工艺缩放水平。

    Intel CEO司睿博之前提到过7nm工艺会会到正常缩放，那至少是2x到2．4x缩放，意味着7nm工艺的晶体管密度将达到2亿／mm2到2．4亿／mm2之间。

    这样看来，如果是2．4亿／mm2的水平，那Intel的7nm工艺就能达到台积电3nm工艺的水平，保守一点2亿／mm2的话，那也非常接近了。

    别忘了，7nm之后Intel还会进入5nm节点，时间点会在2023年，按照Intel的水平，至少也是2x缩放，那晶体管密度至少会达到4亿／mm2，远远超过台积电的3nm工艺水平，台积电的2nm工艺在2023年之前应该没戏的。

    目前的计算还是理论性的，但是只要Intel的工艺路线重回正轨，先进工艺上追回来并不让人意外，台积电、三星并不能小觑半导体一哥的技术实力。