用硅IGBT的工程师们很多曾经有过并联器件的使用经历，它不仅能降低成本还能减小整体系统分布电感。那么对于新一代的半导体器件SiC而言，是否一样可以并联使用呢？以下就以4个英飞凌6mohm的SiC模块的硬并联为例，来一起看看实现的可行性。

　　任何的同一料号开关器件并联，均流总是最重要的目的，这关系到整个系统的最终功率等级，所以如何做到均流就会是一个挑战。一般我们会按动态均流和静态均流分别讨论它。动态均流和系统设计有很大的关系，包括门极驱动，母排结构，PCB布线，甚至功率器件和负载摆放的位置都会影响均流效果。而静态均流和器件本身以及结构的几何形态关系密切，得益于如今市场上大部分的功率半导体是正温度系数的，所以静态均流比较容易实现，对器件批次的参数差异要求不多，文章最后会给出蒙特卡洛分析来评估。

　　首先我们来讨论一下整体结构。由于要实现最小的电流回路，整个系统做成了分开的主功率板和驱动电路板，用接插针来连结两块板子，如图1所示。这样的好处是4路驱动到4个并联模块的距离相等。再来看一下主功率板的布局如图2。用多层PCB来实现多层母线的结构，这样的杂散电感很小，每路只有大约19nH，4个并联后总的杂散电感不超过5nH。可以看到整个主功率板超级对称，这对并联应用是最重要的，没有之一。如果看不清楚，没关系，请参考图3单路的高清放大图，上排的孔是用来套超细柔性探头测桥臂电流；下排的孔是留来测负载电流的。这些孔在实验阶段很好用，当然在正式的设备量产板上是要去掉的，去掉后母排叠层区域面积变大，系统的杂散电感会进一步减小的。

　　图1  双层结构的电路设计

　　图2  主功率板的布局

　　图3  单个主回路

　　我们再来看一下这个4并联的驱动。图4是这个模块的管脚布局图，这个模块的上下桥模块每个都拥有两路gate，两路source，且他们在模块内部是电气相连的。这样做不仅可以减小门极的寄生电感，还能改善模块内部SiC芯片的电流分布。鉴于这样的模块门极结构，外围的驱动电路也应做到与之相配，也就是说接到两个G、S也要对称，以保证左右两边的开关时间高度一直。可以用图5这样的树形结构，橘黄色是到左右两边的驱动信号，黄色是驱动板至4路SiC模块的驱动信号。经实测，4并联8组驱动信号之间的延时误差不超过5ns。

　　图4  模块管脚布局

　　图5  门极驱动的树形结构

　　这么对称的母排和驱动，实际测量中均流到底好不好呢？接下来，让我们一起见证一下结果。需要说明的是测试所用的双脉冲测试电路结构是全桥的，并非常规用的半桥模式，原理如图6。如此做的好处是可以减小半桥测试时负载电感对回路的电磁场影响。各个器件的门极信号给定也在图中有显示。由于SiC器件的体二极管导通压降大且偏差也大，所以在续流是可以使用同步整流模式，但要留出一定的死区时间，对SiC器件而言一般不超过1us。图7是单个模块左右两侧的负载电流，可以看出两者的均流度非常好。我们不仅要对每个模块的左右电流均流度进行确认，还要对不同模块同一侧电流进行比较，这样能保证器件并联后达到最大的输出电流。图8和图9分别是4个并联模块的开通和关断电流，上升和下降的斜率一致性非常高，而且没有什么振荡。改变温度，母线电压和门极电阻后，均流的趋势几乎是一样的。

　　图6  全桥双脉冲测试

　　图7  单个模块左右两侧的负载电流

　　图8  开通电流

　　图9  关断电流

　　以上的这些测试结果都是针对数量有限的模块的，那么对于批量的产品而言，均流又怎样呢？最后，祭出了蒙特卡洛来进行热分析。这个理论简单地说就是反复地随机取样，以得到最终事件概率。图10所示，用在本次模块并联分析中就是从一个50000个不同损耗的样本库中，随机抽出4个进行组合，然后进行电流与温度的迭代，获得该组并联时的温度差。多次重复进行这样的随机抽取，把所有的温度差按出现的次数绘成柱状图就是图11。

　　图10  蒙特卡洛过程

　　图11  并联温度偏差

　　结束语

　　SiC器件的并联肯定是可行的，但最最关键的一个词就是“对称”。“对称”能从根本上解决各类振荡和不均流问题。另外，使用同步整流还有助于续流时的均流，特别对二极管损耗占比偏高的应用大益。

　　参考资料:

• Infineon AN 2017-41.  Evaluation Board for CoolSiC? Easy1B half-bridge modules.

• Infineon AN 2017-04. Advanced Gate Drive Options for Silicon- Carbide (SiC) MOSFETs using EiceDRIVER?.

• Infineon AN2014-12. EiceDRIVER? 1EDI Compact Family. Technical description.

• Infineon AN2018-09. Guidelines for CoolSiC? MOSFET gate drive voltage window

• Infineon AN2017-14. Evaluation Board EVAL-1EDI20H12AH-SIC.

• Infineon AN2007-04. How to calculate and minimize the dead time requirement for IGBT’s properly.

• Infineon AN2017-46. CoolSiC? 1200 V SiC MOSFET Application Note