全球最大许可公司Xperi和以色列芯片巨头高塔半导体（Tower Semiconductor），于6月10日共同宣布高塔半导体获得Invensas ZiBond和DBI3D半导体互联技术许可。这项技术将补充后者在BSI图像传感器，工业全球快门及300mm和200mm晶圆CMOS图像传感器上的一些不足。此外，高塔半导体也将借助Invensas拓展3D集成技术的应用领域，包括存储器和MEMS设备。

    高塔半导体高级副总裁及传感器业务部门经理Avi Strum表示，“高塔半导体正处于快速扩张中，Xperi在直接和混合键合技术上的领先地位能够使我们更好地支持公司客户群快速发展的需求。3D堆叠架构和集成是我们为客户提供高价值、经过验证的模拟半导体解决方案的战略核心，包括为汽车、工业和高端摄影应用程序提供事件驱动型和飞行时间（ToF）传感器。”

    随着高塔半导体最近发布完整的混合键合设计包，公司客户现在可以在两个不同的晶圆上开发他们的产品—成像晶片和混合信号CMOS晶片，这二者可以与电子连接一起堆叠，像素尺寸能够从直接飞行时间和事件驱动型传感器可采用的10um降至2.5um甚至更低，通常被应用于人脸识别程序中的移动ToF。由于成像晶片那一面的照度和极低暗电流，这种分离于两个晶圆的技术大大提升了CMOS电路的工作速度，也使其具有非常高的灵敏度像素。高塔的独特平台对于厚度不同的被用于增强近红外灵敏度的外延片兼容性也更大。

    Xperi全资子公司Invensas总裁Craig Mitchell说：“我们相信高塔半导体会继续加强其作为全球产业领先者，以及一个值得信赖的合作伙伴形象。我们的ZiBond和DBI技术支持各种设备的制造。我们也很高兴能与高塔半导体合作，能够将我们的基础3D集成技术部署到一系列新型传感器中，特别是飞行时间传感器，我们预计这些传感器将越来越多地被应用于汽车和其他工业应用中。”

    3D半导体由于更小、更薄、性能更高，有望在汽车、工业、物联网、边缘计算和消费设备市场掀起一波新的应用浪潮。而Invensas已经在半导体封装和互连技术方面取得了根本性的进展，这些技术是制造3D堆叠芯片所必需的，以满足对尺寸和性能的要求。