元旦节假日期间，国外知名博主在推特上透露了华为最新研发芯片的进展。这名叫Teme（特米）的博主表示，华为下一代旗舰芯片“麒麟9010”将采用3nm工艺打造。

（截图源自推特）

不过元旦假期结束，该名博主却更改了自己的说法，也许是一开始搞错了，该博主表示：目前有两款处理器正在研发中，其中麒麟9010将采用5nm ＋工艺，而麒麟9020则会采用3nm工艺。

（截图源自推特）

按照之前华为受美国禁令显示的回应来看，华为在接下来的两年里，5nm工艺都会是其手机产品的主力芯片。而根据台积电和三星透露的3nm研发进展，最快也要2022年才能落地。

纵观各方3nm进展，谁能替华为代工？

此前华为曾宣布要在新材料和终端制造方面突破技术瓶颈，同时还表示将会对华为海思继续投资，未来将会有一个更为强大的海思归来，攻克难题，无非是时间问题、工艺问题以及成本问题。

结合华为旗下哈勃投资一直以来对数家国内半导体的投资动态来看，全面进入芯片半导体领域或许不是一句空话。

众所周知，华为因美国禁令限制，台积电已经无法再继续为其供应5nm芯片。但并不意味着华为会放弃更先进芯片的研发设计，只要晶圆代工厂拥有相应的工艺制程技术，那么华为依然可以设计研发出来进行流片测试，万一以后禁令解除了，也不至于落后一程。

提到3nm工艺，放眼望去，目前全球只有三星和台积电透露过相关信息。由于FinFET晶体管一度被认为只能延续到5nm节点，因此三星计划在3nm工艺研发上转换赛道，采用GAA环绕栅极晶体管技术。基于全新的GAA晶体管结构，三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi－Bridge－Channel FET，多桥－通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。

此外，MBCFET技术还能兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备，从而加速工艺开发及生产。

具体来说，与现在的7nm工艺相比，3nm工艺可将核心面积减少45％，功耗降低50％，性能提升35％。

（图片源自OFweek维科网）

毫无疑问，这是三星在3nm节点上的一次“豪赌”。或许是为了扭转此前5nm工艺落后的局面，大规模上马GAA技术的手段明显是较为激进的，而这到底能否帮助三星追上台积电，我们拭目以待。

另一方， 台积电所透露的3nm工艺进展看起来更加稳当，台积电没有像三星那样选择GAA晶体管技术，而是延续采纳FinFET晶体管技术进行开发。其3nm工艺与5nm工艺相比，相同功耗下性能提升约10～15％，相同性能下功耗减少约25～30％，前者逻辑区域密度提升1．7倍，但SRAM密度仅提升20％，模拟电路部分密度提升约10％，因此芯片层面上可能仅缩小26％左右。

在生产方面，台积电的3nm晶圆厂坐落在台湾南科园区，占地28公顷，位置紧邻台积电的5nm工厂。据悉，台积电3nm项目投资超过6000亿新台币，约为194亿美元或者1347亿人民币，2020年开始建厂，2021年完成设备安装，计划3nm芯片在2021 年进入风险性试产，2022 年下半年实现量产。

美国禁令之下，华为3nm能否诞生很难说

先进芯片的研发说到底只是证明企业是否有这个实力，那到底能不能生产上市或许就要看“命”了。华为要在台积电和三星之间二选一无疑是个大难题，台积电已经被明确禁止替华为代工先进制程，三星又怎会敢在这个风口浪尖上出头呢？

很明显，特朗普时代我们看到的是美国不遗余力地打压华为，从最早的元器件管控到一步步列入“实体清单”，到最后直接切断台积电与其之间的合作关系，华为的5G实力深深地动摇了美国的科技霸权地位。

当前正值美国大选交替之际，很多人将希望寄托于拜登上台后对华宽松的政策。但实际上，是否打压华为并不只是特朗普或拜登一个人的想法，而是整个美国科技霸权受到威胁时的惯用做法。真正想要半导体产业不受制于人，不被外国“卡脖子”，倒不如积极重视以前发展不足的地方，重新投入资源发展。