据中国台湾经济日报报道，继美国政府邀请半导体产业厂商会谈后，欧盟也计划将拿出巨额补贴，邀请英特尔、台积电和三星设厂，打造自己的半导体产业链。对此，台积电态度低调，并未回应。

斥资百亿欧元，欧盟欲与美国、亚洲一较高下

据德国媒体报道，车用芯片短缺给欧洲造成了巨大的影响，凸显了欧洲半导体过度依赖进口的窘境。因此欧洲认为有必要强化半导体产业链。其中，10nm以下的先进制程让欧盟尤其感兴趣，并计划在此领域扩充设计和制造的产能。

欧盟主管工业和服务业的执行委员布勒东（Thierry Breton）接受采访时表示，“欧洲不天真，但也不想被孤立，”布勒东指出，欢迎亚洲和美国的厂商来设厂，“欧盟有意与国际伙伴合作，但自己也想坐在驾驶座上。”

据悉，为了与美国和亚洲的新晶圆厂规划一较高下，欧盟将拿出上百亿欧元的补贴，吸引外商设厂。30日，布勒东计划与芯片龙头英特尔、台积电、三星的代表会谈，这三者都是欧盟招商的重点对象。据悉，布勒东计划与英特尔谈判的欧陆新厂，规模将比欧洲目前最大晶圆生产基地、格芯在德国德勒斯登的厂还大好几倍。此外，布勒东还准备会晤荷兰半导体大厂恩智浦（NXP）和荷兰半导体生产设备制造商艾司摩尔（ASML）的执行长共同探讨打造欧洲半导体产业链的可能性。

欧盟的愿景：决胜2nm芯片

就在今年3月，欧盟曾发布2030 Digital Compass规划（2030年数字指南针规划），提出到2030年欧洲数字化转型的愿景和途径，制定了与车联网、智能手机、芯片等领域相关的多个科技目标，包括：2030年前欧洲生产的先进芯片价值量占全球的20％、5年内自行打造首部量子电脑等，降低欧盟对美国和中国关键技术的依赖，以及人口密集区实现5G全覆盖等。

具体包括：

1、专家数量：在职信息和通信技术（ICT）专家达到2000万名。

2、5G通信：千兆网络覆盖所有欧洲家庭，实现5G覆盖欧洲人口密集地区。

3、2nm芯片：欧洲生产的先进芯片价值量占全球的20％，瞄准2nm节点，能效是今天的10倍。

4、边缘／云：部署10000个气候中立高度安全边缘节点，帮助欧洲发展自己的云基础设施，以确保企业能够以几毫秒的低延迟方式快速访问数据服务。

5、量子计算：到2025年，欧洲将拥有第1台具有量子加速功能的计算机。

6、数字企业：实现75％欧洲企业在云计算、大数据、人工智能等领域。

7、数字中小企业：让90％以上的欧洲中小企业至少达到基本的数字强度水平。

8、独角兽数量：通过扩大创新规模、改善融资渠道，让估值10亿美元的独角兽公司数量增加1倍。

9、关键公共服务：为欧洲公民和企业提供100％的在线关键公共服务。

10、远程医疗：100％的欧洲公民可以访问医疗记录（电子记录）。

11、数字身份证：80％的公民将使用数字身份证解决方案。

我们来具体看看半导体芯片方面所提到的“2nm芯片：欧洲生产的先进芯片价值量占全球的20％，瞄准2nm节点，能效是今天的10倍。”

众所周知，欧洲曾经是全球范围内半导体产业最发达的地区之一，尤其是英飞凌、ST和NXP这三巨头，无论从营收还是排名来说，一直都保持相对平稳的位置，波动不大。这是因为欧洲半导体产业长期以来都依托欧洲在机械工程和汽车工业上的传统优势。这一历史沉淀让功率半导体和车用半导体成为了欧洲半导体产业最具竞争力的领域，但也正因为如此，欧洲三巨头似乎显得稳健有余，而活力不足。

这么多年来，欧洲也曾尝试过提升自身的芯片制造能力，但一直没有出现更加先进的晶圆厂，原来的代工厂在营收规模上始终被美国、韩国，以及中国台湾的台积电压制着。

业内人士分析认为，欧洲芯片制造业的原地踏步，主要原因是对芯片业不够重视。因此，这也是为什么欧盟现如今会抛出建立一个新的代工厂，或者改造现有的代工厂，以帮助提高欧洲半导体产量的计划。有业者提出，要满足以上目标，必须邀请到台积电、三星等代工大厂参与。但对于赴欧建新厂，台积电曾强调，目前未有赴欧设厂具体规划，而其他厂商也表示需要时间评估。

实现2nm工艺有多难？欧盟17国抱团也赶不上台积电

摩尔定律大家都知道，每过18～24个月，芯片上的晶体管数量就会翻一倍，性能也会相应地增强一倍。这条定律被看作是芯片制程向前发展的基本准则，自从第一块集成电路诞生以来，已经被无数次验证了。

以世界规模最大的代工龙头台积电为例，台积电代表了目前最先进的芯片工艺水平，从28nm到14nm，再到7nm和5nm，台积电每次突破的时间都在两年左右。在去年下半年，台积电就实现了5nm芯片的量产，如今正朝着3nm和2nm制程进发。

据悉，台积电早在2019年就成立了2nm专案研发团队。去年9月就有台媒报道了台积电2nm工艺取得重大突破的消息，不同于台积电现在的先进节点和即将量产的3nm，台积电将在2nm上首次应用GAAFET架构，具体来说是MBCFET。

具体来看，典型的GAAFET，这被称为具有“薄”鳍的纳米线。而MBCFET，则被称为具有“厚”鳍的纳米片。以环绕闸极（GAA）制程为基础的MBCFET架构，能用以解决FinFET因制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题。由于台积电的研发进度超前，业界看好其2023年下半年风险试产良率就可以达到90％。

欧盟在2nm研发上走到了哪一步呢？从行动上来看是大张旗鼓，但实际上目前还看不到有效的成果。去年年底，欧盟24个国家中有17个国家日前联合宣布了一项野心勃勃的《欧洲处理器和半导体科技计划联合声明》，旨在鼓励欧盟联合研究及投资先进处理器及半导体工艺。

声明中指出，欧盟的半导体技术与自身经济地位不匹配，明明占了全球GDP的16％，但在价值4400亿欧元的半导体市场上，欧盟国家的份额却只有10％。

因此该计划提出，未来两三年中可能会投入1450亿欧元，约合1．2万亿人民币的资金以推动欧盟国家掌握至关重要的半导体技术。欧盟重点提到了2nm先进工艺制造，这是未来尚待量产的新工艺，当前最先进的还是5nm工艺。加入声明的包括德国、法国、荷兰、意大利等西欧发达国家，也是目前世界上半导体实力最强的队伍之一。但到目前来看，欧盟的2nm芯片研发计划，似乎还只是一个“计划”……