光刻机是芯片生产制造的必要设备，目前，最先进的光刻机技术掌握在ASML手中。数据显示，ASML研发生产的DUV光刻机，能够生产7nm以上的芯片，而EUV光刻机则能够生产制造7nm以下的芯片，两款光刻机几乎占领了中高端市场。最主要的是，EUV光刻机是生产7nm以下芯片的必要设备，所以，台积电才大量安装EUV光刻机，预计在2021年安装超过50台。另外，三星也加入其中，李在镕更是亲自前往ASML，协商购买更多的EUV光刻机，目的就是提升先进制程芯片的产能和良品率。

但没有想到的是，就在三星、台积电等都大量争夺EUV光刻机之际，ASML却正式官宣了1nm的光刻机相关情况。据悉，生产7nm、5nm、3nm等芯片，EUV光刻机是完全可以满足需求，但生产2nm以后的芯片，则需要更为先进的光刻机——NAEUV光刻机。数据显示，对于2nm以后的超精细工艺，需要实现更高的分辨率和更高的光刻设备NA(NA=0.55)。目前，7nm、5nm等则是采用了NA=0.33EUV光刻设备。

据IMEC介绍，ASML已经完成了作为NXE:5000系列的高NAEUV曝光系统的基本设计，但商业化计划在2022年左右。但这套下一代系统将因其巨大的光学系统而变得非常高大，很有可能顶在传统洁净室的天花板下。也就是说，ASML有望在2022年推出NAEUV光刻机，其可以用以生产2nm以下的芯片，像1nm、亚1nm的芯片。面对这样的这样情况，只能说这来得太快了。

芯片的发展十分迅速，如今可以说是剩不下多少发展空间了，目前已经全球已经实现4纳米芯片的量产，下一代，也就是3纳米，也就在今明两年也就能和市场见面了。然后2纳米，然后1纳米，然后，就迎来摩尔定律的极限。

为了防止这种情况的出现，为了保住自己的优势地位，台积电加入了Ulce联盟，寻求突破摩尔定律极限的良方。那么，台积电此举对于阿斯麦尔而言究竟会带来怎样的影响呢?Ulce联盟主要就是通过芯片叠加的方式，那么，这个芯片叠加能成功吗?毕竟这可关系到台积电究竟能否如愿打破摩尔定律的极限。

3月3日，芯片制造商英特尔、台积电、三星联合高通、谷歌等十多家国际性企业巨头共同宣布，成立UCle联盟。这家联盟成立的目的其实也很简单，就是想要打造小芯片互联标准，推动开放生态建设。

当然，说白了，这个联盟的成立就是想要找到将不同类型的芯片堆叠或者封装等方式组合在一起，以此打造出一颗更强大的芯片，打造出实力更加强劲的芯片系统，尽可能达到一加一大于二的效果。

台积电不仅仅加入了这个联盟，似乎还是这个联盟的牵头人，阿斯麦尔的担心可能将会一步步逼近。那么，台积电此举又会给阿斯麦尔带来怎样的影响呢?竟至于让阿斯麦尔会流露出担心的情绪呢?

这个联盟主要的目的是通过对小芯片的堆叠，朝着更加先进制程芯片，更加强劲性能芯片进军。重点来了，按照这个理论，其实全程是不需要用到EUV光刻机，当然更不需要用到阿斯麦尔新一代EUV光刻机。

在上月的ITF大会上，半导体行业大脑imec(比利时微电子研究中心)公布的蓝图显示，2025年后晶体管进入埃米尺度(Å，angstrom，1埃 = 0.1纳米)，。

当时imec就表示，除了新晶体管结构、2D材料，还有很关键的一环就是High NA(高数值孔径)EUV光刻机。其透露，0.55NA的下代EUV光刻机一号试做机(EXE:5000)会在2023年由ASML提供给imec，2026年量产。

不过，本月与媒体交流时，ASML似乎暗示这个进度要提前。第一台高NA EUV光刻机2023年开放早期访问，2024年到2025年开放给客户进行研发并从2025年开始量产。

据悉，相较于当前0.33NA的EUV光刻机，0.55NA有了革命性进步，它能允许蚀刻更高分辨率的图案。

分析师Alan Priestley称，0.55NA光刻机一台的价格会高达3亿美元(约合19亿元)，是当前0.33NA的两倍。

早在今年7月，Intel就表态致力于成为高NA光刻机的首个客户，Intel营销副总裁Maurits Tichelman重申了这一说法，并将高NA EUV光刻机视为一次重大技术突破。

ASML生产的光刻机，客户都在排队催着提前交货，有的机器客户都等不及测试就直接交货了。今年的第三季度的新增订单金额达到62亿欧元，其中的29亿是订购EUV光刻机，看上去ASML一天工作48个小时估计没有办法按时交货。

而国际半导体协会统计，今年全球还将新增19座晶圆厂，明年计划新增10座。因此市场上对于光刻机的需求量还在不断增加，尤其是越来越多的EUV光刻机采购需求。这些新工厂大部分都需要向ASML采购光刻机。

仅仅是第三季度，ASML共出货光刻机79台，其中包括15台EUV光刻机，比上个季度多出货7台，其中6台就是EUV光刻机，ArF浸润式光刻系统也就是DUV光刻机，累计出货达到了1000台。

这边生产已经很忙了，然而ASML今日宣布已完成1nm的光刻机设计，并将在2022年开始商用生产。看样子完全是在催促芯片工厂快速进行科技研发啊，或者是准备为明年的新建的芯片工厂都提供1nm芯片光刻机吗?其实早在2020年12月的中旬，在日本东京举办的ITF论坛上，与ASML合作开发光刻技术的比利时半导体研究组织IMEC就宣布了3nm及以下工艺的技术细节。到目前为止，ASML不仅为3m，2nm，1.5nm，1nm甚至Sub 1nm都制定了清晰的路线图，而且已经完成了 1nm光刻机的设计。IMEC甚至宣布了1nm及以下工艺的路线图。

在光刻机领域内，ASML是绕不开的话题，原因是ASML研发制造的光刻机最先进，尤其是EUV光刻机，目前仅有ASML能够研发制造。最主要的是，EUV光刻机是生产制造7nm以下芯片的必要设备，从其被研发制造出来那一刻开始，EUV光刻机就供不应求，至今还积压了几十亿欧元的订单。

在这样的情况下，ASML一边提升EUV光刻机的产能，预计今后两年生产制造115台EUV光刻机，一边研发制造全新一代EUV光刻机，其就是NA值为0.55的EUV光刻机。据悉，目前ASML正在研发制造全新一代EUV光刻机，其被命名为NA EUV光刻机，而NA更是高达0.55，相比现有的NA值为0.33的EUV光刻机而言，有明显的提升。

当然，全新一代光刻机的NA值提升，意味着光刻机精度更高，可以生产制造更小面积的芯片，甚至可达1nm。要知道，台积电、三星都计划在2024年量产2nm制程的芯片，而ASML全新一代EUV光刻机也计划在2023年交付厂商研发测试，2024年规模量产。