由于众所周知的原因，近期北方某国也无法再获得光刻机供应，芯片进口也面临阻碍，因此该国已计划研发全新的芯片制造技术，无独有偶日本企业其实早在去年就已研发不需光刻机的芯片制造技术，随着芯片制造技术的变革，或许ASML的光刻机是时候被抛弃了。

据悉北方某国计划以X射线进行光刻，它早就在研究无掩模X射线光刻机，此举具有一定的可行性，因为它的波长比ASML所采用极紫外线还要短，X射线波长基于0．01nm至10nm之间，而EUV极紫外线波长长度为13．5nm，X射线光刻机无需光掩模就可以直接光刻，此举可以大幅降低芯片制造成本，同时在精准度方面也更高。

与北方某国不同，日本研发无需ASML光刻机的芯片制造技术，则是因为EUV光刻机的成本太高了，一台EUV光刻机的售价高达1．5亿美元，而下一代更精准的EUV光刻机售价可望进一步提高到3亿美元，昂贵的EUV光刻机让日本企业难以接受，它们因此而在数年前就开始研发无需ASML光刻机的芯片制造技术。

日本的存储大厂铠侠Kioxia（东芝）早在数年前就已与日本半导体厂商大日本印刷株式会社（DNP）研发新的光刻技术，在2020年成功研发出纳米压印微影（NIL）技术，并已应用于Kioxia公司的NAND flash芯片生产中，它们预计该技术可以应用于5nm工艺，打破当下DUV光刻机只可以应用于最高7nm工艺的限制，而且成本更低。

中国则延续了当下的芯片制造技术方向，据悉中芯国际即将以DUV光刻机生产7nm工艺，这个技术其实已由台积电实现，此前台积电的第一代7nm工艺就是以DUV光刻机生产的，后来再升级至7nmEUV，7nm工艺将足以满足中国多数芯片的需求。

除了以DUV光刻机生产7nm工艺之外，中国芯片企业华为海思还研发了芯片堆叠技术，该技术此前曾遭受一些质疑，不过随着台积电推出的3D WOW技术大幅提升了7nm工艺芯片的性能，性能提升幅度达到40％，超过5nm工艺的性能提升幅度；苹果也通过特殊的联结方式将两颗M1芯片连接在一起而取得了性能倍增，都证明了芯片堆叠技术的可行性。

如此中芯国际的7nm工艺辅以芯片堆叠技术，业界预期此举可以将性能提升至接近5nm更进一步满足国内芯片行业的要求，而且此举也有助于降低成本。

上述这些技术发展都说明了ASML的EUV光刻机将不会成为推进至7nm工艺以下的必然选项，芯片制造行业完全可以通过研发其他技术绕过EUV光刻机的限制，提升芯片的性能，甚至生产芯片的成本比EUV光刻机更低。

不仅如此，全球芯片供应紧张的状况似乎已有缓解的迹象，手机芯片行业已出现过剩，射频芯片库存达到了较高的水平，导致手机企业不再抢购芯片。这是因为手机行业的出货量其实已低于历史最高水平，汽车、电视的出货量也有所下降，2021年出货量增长幅度较大的PC也在今年一季度显著下滑，这都可能导致芯片产能过剩，芯片产能出现过剩的话，当前全球抢购光刻机的现象也就会缓解，甚至光刻机可能因此过剩。

可以说属于ASML的高光时刻似乎正在过去，面对芯片技术的变革，以及芯片供应的变化，ASML赚得盆满钵满的时代可能一去不复返了，那时候ASML会不会改变当前销售的诸多阻碍，而转变态度希望客户采购它的光刻机呢？