三星周四表示，它有望在本季度（即未来几周）开始使用其3GAE（3nm级栅极全方位早期）制造工艺大批量生产芯片。这一宣布不仅标志着业界首个3nm级的制造技术，而且也是第一个使用栅极全包围场效应晶体管（GAAFET）的节点。

　　三星通过世界上首次大规模的GAA 3nm工艺，加强其技术领导地位。 三星代工的3GAE工艺技术是该公司第一个使用GAA晶体管的工艺，三星官方称之为多桥通道场效应晶体管（MBCFETs）。

　　三星大约在三年前正式推出了其3GAE和3GAP节点。当该公司描述其使用3GAE技术生产256Mb GAAFET SRAM芯片时，它提出了一系列的要求。三星表示，该工艺将使性能提高30%，功耗降低50%，晶体管密度提高80%。不过，对三星来说，性能和功耗的实际组合将如何发挥，还有待观察。

　　从理论上讲，与目前使用的FinFET相比，GAAFET有许多优势。在GAA晶体管中，通道是水平的，被栅极所包围。GAA通道是利用外延和选择性材料去除形成的，这使得设计者可以通过调整晶体管通道的宽度来精确地调整它们。通过更宽的通道获得高性能，通过更窄的通道获得低功率。这样的精度大大降低了晶体管的漏电电流以及晶体管的性能变化，这意味着更快的投产时间、上市时间和提高产量。

　　另外，根据应用材料公司最近的一份报告，GAAFET有望减少20%-30%的电池面积。三星的3GAE，作为一种"早期"的3nm级制造技术，3GAE将主要被三星LSI（三星的芯片开发部门）和两三个高级客户使用。考虑到三星LSI和早期客户倾向大批量制造芯片，预计3GAE技术将得到相当广泛的使用，前提是这些产品的产量和性能达到预期。