近年来国内科技迎来飞速发展，但看似繁荣昌盛的背后，也隐藏了诸多的隐患，困扰我们许久的“缺芯少魂”问题，至今都未能很好的解决，和老美之间的科技竞争，已经被摆上了台面。

中国工业起步较晚，也导致了在半导体领域基础不稳固，导致最先进的制程工艺卡在了14nm上，而且还要高度依赖于海外的技术，而华为之前就是太过于相信“科技无国界”，导致吃了大亏。

华为有能力设计出尖端的5nm芯片，但凭借着国内工艺根本制造不出来，未能展开全产业链的布局，也导致先进的技术无用武之地，好在华为已经习惯了“技术创新”，并没有因此而陷入困境当中。

说白了现阶段的科技竞争，就是搭载在芯片工艺基础上的，谁能够获取更为先进的芯片，就能够在未来掌控全局，目前国内的企业也在芯片领域，展开了全面的冲刺，好消息也不断的传了出来。

提到先进的芯片制造，不得不提的就是EUV光刻机了，ASML作为全球唯一的厂商，在设备进出口上，已经遭到了老美的严格管控，无法获取先进的光刻机，也让国内芯片产业停滞不前。

而如今老美意在重塑本土半导体产业，因此短期之内放开EUV光刻机供应，基本上是不存在任何的可能性的，原因就在于ASML也只是组装厂，光刻机是集结了来自全球20多个国家的尖端产物。

在老美的相关限制下，反而加速了华为的成长，5G技术更加的精进，坐稳了领头羊的位置，在技术上至少领先了欧美2-3年，除了在5G领域的成就之外，我国在航空航天等等领域上，也都实现了赶超。

为了追赶台积电，很显然三星也在努力的采购ASML的最新一代光刻机，而花费也是巨大的。

据韩国媒体报道称，三星电子和ASML就引进今年生产的EUV光刻机和明年推出高数值孔径极紫外光High-NA EUV光刻机达成采购协议。

High-NA EUV光刻机精密度更高、设计零件更多，是延续摩尔定律的关键，推动2nm以下制程，估计每台要价4亿美元。

ASML今年只能生产50台EUV设备，交货周期为1年6个月，ASML有限的生产能力和较长的交货时间正加剧各大晶圆代工厂订购 High-NA EUV光刻机的竞争。

在这之前， Intel已率先与ASML采购5台这款新设备，还宣称2024年初就能生产2nm、2024 年下半更能生产1.8nm。台积电称会在2024年拥有ASML次世代最先进的光刻机。

有消息人士透露，三星电子已获得ASML今年EUV光刻机产能中的18台。这意味三星仅在EUV光刻机上就将投资超过4兆韩元。

新建光的刻机制造的车间，ASML已正式做了决定

ASML是世界上最好的光刻机供应商，他们的DUV光刻机和EUV光刻机，已经占据了中、高端的市场。

而EUV光刻机的出现，让台积电、三星、英特尔等公司，都在采购EUV光刻机，但因为产能的限制，三星等公司的EUV光刻机，也出现了严重的短缺。

据报道，三星公司很早以前就表示，希望ASML公司可以为其生产更多的EUV光刻机和其他设备，同时也想要优先采购新一代的光刻机。

ASML公司在韩国建立了EUV光刻机的生产基地，以满足EUV光刻机的生产需求，并将EUV光刻机交给三星等公司。

紧接着ASML宣布，将扩大EUV光刻机等设备的生产规模，在2022年、2023年完成115部EUV光刻机的生产，加快NAEUV光刻机的研发。

现在ASML已经下定决心，要建立一条新的光刻机生产线，让光刻机的产能更上一层楼。

ASML公司的官方信息显示，新加坡的第二个生产车间将会在2023年初投入生产。

扩建后，新加坡光刻机的产能将翻三番，而全球产能也将翻一番。

ASML之所以会在新加坡扩大产能，建造新的光刻机，也是有原因的。

首先，对光刻机的需求量，已经越来越大了。

由于全球缺芯，各大晶圆厂纷纷加大产能，三星将投入2000亿美金扩大生产规模，而台积电、英特尔等公司则打算投入1000亿美金扩大生产规模。

就连中芯国际、格芯、联电等芯片代工企业，也都开始扩充自己的芯片生产规模，而三星、SK、海力士、美光等公司，都在不断地提高自己的生产技术，对光刻机的需求量也越来越大。

此外，ASML公司还透露，由于全球缺芯，导致了各个大型晶圆厂的产能扩张，扩大生产所需的光刻机和其他设备，在接下来的两年里，都会有大量的缺货。

这也是ASML公司不断扩充其能力的一个重要因素。

其次，亚洲是ASML最大的市场。

ASML公司的总部位于荷兰，但是ASML公司是一家全球性的公司，它的研发和生产，涉及到了40多个国家和地区。

而ASML的生产基地遍布世界各地，荷兰，德国，美国，新加波，更是遍布世界各地。

但从市场角度看，ASML最大的市场是亚洲，它的主要依靠中国、韩国，单是中韩两国的芯片公司每年就为ASML带来超过130亿欧元的收入。

用于生产 2nm 芯片的 ASML 新款光刻机预计在 2025 年首次投入使用，对芯片厂商而言，“2nm 工艺战”已经打响。

对于芯片厂商而言，要想发展先进制程，光刻机是关键设备。而从工艺技术和制造成本综合因素考量，EUV 光刻机(极紫外光刻)被普遍认为是 7nm 及以下工艺节点的最佳选择。目前，在全球范围内仅有荷兰的 ASML 公司能供应 EUV 光刻机。

据介绍，ASML 的 EUV 光刻技术使用 13.5 nm 的波长(几乎是 X 射线范围)，在微芯片上形成精细的线条。用于大批量制造，以创建先进的微芯片(7 nm、5 nm 和 3 nm 节点)高度复杂的基础层，并支持新颖的晶体管设计和芯片架构。

日前，在 2022 SPIE 高级光刻会议上，ASML 介绍了 EUV 的最新进展。

根据 ASML 最新消息，新款 EUV 光刻机正在研发中，NA 将从 0.33 增加到 0.55(NA 是光学系统的数值孔径，表示光线的入射角度)，2nm 工艺的芯片都将依赖其实现。

为什么要冲刺高 NA EUV 光刻机?

光刻系统所能达到的分辨率是光刻收缩的主要驱动因素之一，它主要由所用光的波长和光学系统的数值孔径决定。更短的波长可以打印出更小的特征;更大的数值孔径可以更紧密地聚焦光线，也能够带来更好的分辨率。

ASML 光刻系统的发展一直是通过减少波长和增加数值孔径来进行演进。

目前，ASML 的主力产品是 0.33NA EUV 光刻机，并正在大批量生产中。对于 0.33 NA 系统，ASML 正致力于通过增加吞吐量和降低总能量来减少每次曝光所需的能量。

在发力 0.33 NA EUV 光刻机的同时，ASML 也在冲刺研发 0.55 NA EUV 光刻机。