随着疫情、地缘政治影响，全球各国积极巩固半导体资源及建立生产供应链。在各地补助支持政策的推波助澜下，强调全球多元生产及弹性供应的国际存储芯片大厂美光，也身处半导体供应链重组的浪潮中。在全球不景气冲击下，铠侠、SK海力士陆续采取减产或降低资本支出以自保，美光日前也宣布第4季起同步减产DRAM和NAND Flash约二成，并持续下调资本支出，包括2022～2023年资本支出调降幅度高达四成。

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在下游市场需求下降与景气复苏反转时间难料下，存储厂正试图透过供给调节来加速市场秩序恢复平衡。尽管美光在资本支出投入转趋保守，但仍预期供应链库存调整有望于2023年初获得改善，且终端需求将于第2季开始反弹。美光预估2023年需求增长将接近DRAM和NAND的长期增长率，也就是DRAM增长率约为14%~16%、NAND约在28%，且2023年的供给增长将会低于需求增长，DRAM供给增长率将下滑，NAND Flash供给仅有个位数增长。

存储产业周期虽然面临下滑，借由1β DRAM制程节点和232层3D NAND量产，美光不仅得以继续大幅降低成本，同时借由先进制程技术的投资与研发远景，在各国政府的半导体补助及优惠政策中发挥如鱼得水的效益，更牵动未来20年全球存储产业的制造规划与布局。

面对消费力疲弱及国际竞争局势动荡的双重挑战、各国对半导体芯片的高额补助及多重管制将成为大趋势，产业竞争在地缘政治的拉扯牵动中更加严峻。

美光全球布局调整

拜登政府的《芯片与科学法案》（Chips and Science Act；CHIPS Act）激励下，美国本土制造的大旗飘扬，美光近期接连宣布多项重大投资，包含预计2030年底前将投资400亿美元，在美国建立“尖端存储制造”业务；9月进一步宣布在爱达荷州总部斥资150亿美元的建厂计划；将于纽约州建造全新DRAM巨型工厂，预计在长达20年内分4期投入1,000亿美元计划—将是美国史上最大存储厂的投资案。

作为美国代表性半导体大厂，美光响应政府政策的措施应是理所当然。过去美光曾对外表达，在美国生产存储的成本比亚洲高出35%~45%，故政府提供补贴诱因将是决定建置晶圆厂的重要考量之一。根据市场报告估计，美光可望在“芯片法案”取得高达121亿美元的补贴款，其金额仅次于英特尔。

美国DRAM产能比重的急速跃升，将对全球存储产业版图消长带来关键影响。美光预计第一阶段将投资200亿美元，可望于2024年开工及2025年起陆续实现量产，正式启动美国制造的生产大计。

再回溯至2021年下半，当时美光的新厂投资地点尚未定案，日本也曾是美光积极评估的选项之一，曾传出日本政府将提供巨额补贴，美光可望将砸下8,000亿日元在日本兴建先进DRAM新工厂、并预计2024年启用生产。尽管设厂案应是无疾而终，但也显见政府支援对于长期持续性研发投资是具有重要影响，也符合国际大厂在分散供应及降低政治风险的综合考量。

半导体在地制造的风潮持续蔓延，在芯片产业沉寂多年后，日本政府启动半导体产业复兴执行计划，2022年3月1日通过相关补助法案，不仅是台积电熊本厂确定名列补助之列，美光领先推动1β DRAM制程量产后，其广岛厂也成功争取补贴入袋，日本政府大方提供美光约465亿日元。

对美光来说，这笔补贴如同是临空而降的肥美果实。根据近年来先进DRAM技术的发展蓝图，美光一直是依照既定计划且按部就班推动技术升级，DRAM制程采取每年推进1个世代为目标，并以中国台湾、日本两地轮流交替来主导量产最新制程，在中国台湾A3厂区2021年顺利展开量产1α纳米，广岛厂的1β节点制程也随即启动脚步，在2022年如期完成量产任务，中国台湾预计2023年初将跟进量产1β节点制程，同时台中A3厂也准备提前导入第一台EUV，将在下一阶段的1γ节点开始采用EUV设备。但这笔补助却非凭空得来，美光也的确为了技术升级而积极投入研发，执行长Sanjay Mehrotra表示，过去3年来，美光已花费数亿美元投入1β的研发，预期未来导入量产之后，在接下来的2年将会花费约10亿美元进行1β技术的良率提升。在过去4~5年内，美光也成为日本最大的外商投资者。

日本砸下重金补贴半导体产业，能否重振昔日风光仍有待观察，但这波补助正好是迎合日本政府推动新一波半导体业的制造复兴风潮，除了加强在地生产以免遭受“断链”危机，更能藉由美、日阵线共同携手，强化半导体供应链的目标，达成支持日本国内半导体业所需要的先进存储芯片供应。

美光仍重视中国台湾，将引入美光首台EUV

在美光目前主要生产据点中，虽然日本和中国台湾均是美光DRAM的制造中心，生产最先进的DRAM节点，但美光在台投资金额更为庞大。中国台湾分厂提供约达65% DRAM产能供应，而日本比重约当35%。美光在未来20年内持续提高在美国本土生产比重，美光强调采取多样化、灵活且有弹性的供应链，对满足美光客户的全球需求而言是至关重要，这也是美光的竞争优势。

相较于美光预计未来2年内将在日本投资10亿美元，过去3年来，美光平均每年在台投资金额达到30亿美元。根据规划，接下来美光将推动最先进的1γ技术，预计2024年在台落地量产，并采用昂贵的EUV设备。美光之所以选择中国台湾作为第一个采用EUV设备的生产基地，主要是考量到中国台湾半导体生态系统的完善性，尤其是台积电采用EUV设备发挥领头效应，设备商ASML也会考量在中国台湾已有不同厂商采用需求，并持续在中国台湾提高投资及培训人才计划。

由于EUV设备非常昂贵且复杂，在整体产业生态、机器可靠性，例如光罩、微影及技术人才等相关环节都要能相互搭配，对成本考量评估谨慎的美光来说，2024年1γ制程导入EUV设备，是基于技术、效能与成本等综合因素下的选择。

在广岛厂1β节点进入量产之际，日本媒体也关心到未来广岛厂是否将加入EUV设备生产。美光回应时隐约透露出两地客观环境的差异，包括日本对于新设厂的各项环保条件要求非常严苛，如废气、废水、毒物处理等等，虽然目前已在申请相关文件之中，但美光仍无法评估新建厂的时机点。

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