随着低碳发展理念在全球的持续推进，碳中和、脱碳成为各行各业日益关注的焦点。功率半导体技术在脱碳进程中扮演着日趋重要的角色。以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体技术成为功率半导体发展的热点。作为一家在SiC领域的开发有着20多年的历史的领先厂商，罗姆多次在SiC技术创新和商业化发展中起到引领作用。

日前，罗姆半导体（上海）有限公司技术中心副总经理周劲先生和罗姆半导体（上海）有限公司市场宣传课高级经理张嘉煜先生深入介绍了罗姆的最新发展动态及在SiC领域的技术与发展。

2022业绩：汽车及工业市场带来高增长

   张嘉煜介绍，2022财年上半年，罗姆实际销售额2599亿日元，同比增长16.7%，营业利润504亿日元，同比增长46%。按垂直行业划分，汽车、工业设备、计算机&存储设备三个市场领域销售额均有超过20%的增长。2022财年全年预计将实现销售额5200亿日元，相比2021财年实现15%的增长。全年销售额中，占比和增长贡献最大的都是汽车领域。汽车领域销售额预计达2134亿日元，相比2021财年增长24.3%。汽车领域细分市场中，xEV有168%的增长。

SiC领域市场战略及目标

张嘉煜介绍，节能和小型化是罗姆一直以来的发展理念。功率电子元器件作为罗姆的业务核心，也一直致力于通过节能和小型化而为社会带来价值与发展。节能和实现无碳社会进程中，SiC等高转换效率的产品需求将不断扩大。罗姆拥有世界先进的SiC及GaN等技术，目前已经被应用在非常多的车载应用当中。

张嘉煜介绍，2021~2025财年，罗姆在功率元器件领域销售额目标是复合年增长25%的预期，尤其是碳化硅方面，是有较高的增长预期。罗姆预计碳化硅市场在2024~2026三个年度将有近9000亿日元的市场有待开拓。对此，罗姆销售额目标是在2025年度实现大于1100亿日元的销售额。为了实现这样的目标，罗姆正在不断地进行碳化硅方面的投资以满足产能需求，计划在2021~2025这5年投入1700~2200亿日元。按照罗姆目前的增产计划，相对2021年产能，到2025年碳化硅产能计划扩增到6倍，而到2030年，产能计划扩增到2021年的25倍。

罗姆SiC器件发展路线

周劲介绍，罗姆关于SiC的开发，已有20多年的历史。罗姆从2000年开始研发碳化硅产品，在2010年全球首家进行碳化硅SBD和MOSFET的量产，之后在2021年发布了第4代的沟槽SiC MOSFET。第4代碳化硅产品导通电阻（RonA）能够相较于原来的第3代下降40%。按照未来发展规划，导通电阻于2025年、2028年分别再降30%，实现第5代、第6代产品。另外，将增加晶圆的直径，提高生产效益，以把碳化硅器件的成本持续的降低。2017年罗姆全面进入6英寸的碳化硅晶圆时代，到2023将实现200 mm即8英寸衬底的量产。另外通过罗姆优良的技术能够实现单个元件尺寸的增加，目前的主流从2015年开始最大的规格都是25 mm2，到2024年罗姆会实现50 mm2的产品，可以支持更高电流输出的需求。

第4代 SiC MOSFET优势

周劲介绍，罗姆第4代 SiC MOSFET优势主要在三个方面：低损耗、使用简便、高可靠性。

低损耗的实现主要来自两方面因素，一方面是导通电阻（RonA）的进化降低了ON阻抗，与第3代产品相比，罗姆的第4代新产品标准导通阻抗实现了40%的降低，同样尺寸的芯片，第3代大约是30mΩ，第4代能够实现18 mΩ的导通阻抗；另一方面是开关特性的改善促进损耗降低。

罗姆第4代 SiC MOSFET第二个特征是使用简便。第一个就是推荐栅极驱动电压为8~15 V，可以与IGBT等目前广泛应用的栅极驱动电路等同的使用。另外一个无负Bias驱动的设计，罗姆的产品Vth会比较高，无需负Bias的设计，可以简化电路设计。此外，第4代 SiC MOSFET内部栅极阻值降低，使外部栅极电阻的调整更灵活。

罗姆第4代 SiC MOSFET的另一个亮点是可靠性得以进一步的提高。通常标准导通阻抗跟短路耐受时间是折中的考量，罗姆通过独特的电路结构设计，突破了这一限制，通过减小饱和电流去实现优化这两个参数的折中，能够实现短路时间大幅度的延长。