据日媒报导，台积电（TSMC）的日本子公司JASM（Japan Advanced Semiconductor Manufacturing）新厂-熊本12英寸超大晶圆厂即将在2月24日举行开幕仪式，台积电董事长刘德音、总裁魏哲家预料都将出席。这家备受瞩目的新工厂计划在今年（2024年）底开始大规模量产。这将进一步提升台积电在全球半导体市场的地位。而日本也将成为台积电扩产最快的海外厂区！

自2022年4月开工以来，JASM的“第一工厂”建设进展顺利，目前大楼已基本竣工，部分办公楼已于2023年8月投入使用。生产设备将于2024年10月开始运送至厂房，并于同年底开始量产。

台积电熊本第一工厂将生产12/16nm和22/28nm这类成熟制程的半导体。这一战略布局不仅将巩固台积电在全球半导体市场的领先地位，也将推动日本半导体产业的复苏和发展。日本政府已决定向第一工厂提供最多4760亿日元（当前约236.1亿元人民币）的补贴。

同时，台积电还计划在熊本县建造第二家工厂来生产5nm芯片。此外，据彭博社报道，台积电正考虑在熊本县建设第三座芯片工厂，生产先进3纳米芯片。这一项目代号台积电Fab-23三期。虽然目前尚不清楚何时开建第三工厂，但等到新工厂量产时，3nm可能已经落后届时最新技术1-2个世代。

市场猜测，日本将成为台积电海外扩厂重点，除了熊本两座晶圆厂，分别规划特殊制程、以及7nm以下先进制程，台积电先前设立3D IC研发中心，以及两座IC设计中心分别在横滨、大阪，支援日本IDM客户设计服务。

台积电2nm将在2025年量产

台积电3nm已在台湾Fab 18量产。3 nm将分为五个层次，每个层次都更强大、晶体管密度更高、效率更高，五个层次分别为：N3、N3E（增强型）、N3P（性能增强型）、N3S（密度增强型）和 N3X（超高性能）。

同时，还计划在2025年正式推出新一代工艺N2（2nm）。

同N3E相比，N2将在相同功耗下将性能提高10%至15%，并在相同频率和晶体管数量下功耗降低25%至30%。相比N3E，N2的芯片密度提高了1.1倍。

此前，台积电总裁 魏哲家曾公开表示：“我们根据客户的要求，正在扩大台积公司的全球制造版图，以增加客户信任，扩展我们未来的成长机会，并可接触到全球的人才。”

随着总裁魏哲家，接替刘德音扛下海外扩厂重责大任，台湾本土1.4nm、2.0nm选址告一段落，日本3nm工厂规划或将加速。预期未来，随着库存去化告一段落，以及AI应用逐步腾飞，晶圆代工需求将持续增长。