• 全新IR：6薄膜红外LED芯片技术，提供850nm、940nm及新增920nm波长选项；

• OSLON^® P1616与OSLON^® Black系列是首批采用IR：6技术的产品，为客户提供直接替换方案，显著提升终端产品（安防摄像头、生物识别认证系统及热处理医疗设备）的亮度与效率。

　　中国 上海，2024年11月7日——全球领先的光学解决方案供应商艾迈斯欧司朗（瑞士证券交易所股票代码：AMS）今日宣布，发布最新IR：6红外（IR）LED芯片技术。相较于艾迈斯欧司朗现有IR LED发射器芯片，该技术能将显示亮度提升35％，工作效率提高42％。

　　IR：6技术可适用于个人电脑中的生物特征认证系统（图片：艾迈斯欧司朗）

　　全新IR：6薄膜芯片技术，将助力制造商大幅度提升照明效果与图像质量，实现更快速、更准确的生物特征识别，并降低能耗以及延长电池续航时间，尤其针对安防摄像头、个人电脑及智能门铃中的生物识别认证系统等产品。

　　IR：6技术适用于闭路电视监控（CCTV）系统应用（图片：艾迈斯欧司朗）

　　在用于治疗组织损伤的光疗医疗设备领域，IR：6芯片凭借其卓越的光功率输出，使设备制造商能够在保持治疗效果的前提下，减少LED使用数量，从而减小设备尺寸并降低物料成本。

　　艾迈斯欧司朗OSLON^® P1616高功率LED系列和OSLON^® Black系列为首个承载这项新技术的产品。OSLON^® P1616高功率LED系列采用1.6mm×1.6mm紧凑型封装；OSLON^® Black系列提供多种发光角度选项，其中包括专为IR摄像头设计的新型矩形照明视场。

　　艾迈斯欧司朗产品市场经理Dominic Bergmann强调：“全新升级的IR：6技术使艾迈斯欧司朗的红外LED在亮度和效率方面在细分市场遥遥领先。客户若采用基于IR：6的新款LED替换现有红外LED，将能在降低功耗的同时，即时获得更出色的应用性能。”

　　IR：6：新一代红外LED技术

　　全新IR：6芯片技术在材料、结构和设计上进行了提升，实现卓越的性能表现。具体提升表现在：

• 提高芯片固有效率；

• 引入新型中央焊盘设计，优化电流分布并降低正向电压；

• 优化芯片表面的粗糙度，提高光解耦效率和亮度。

　　此外，全新的IR：6技术增添了以920nm为主导波长的发光功能，同时保留常规的850nm和940nm波长。得益于光电二极管对较短波长更高的灵敏度，920nm新选项相较于940nm选项能提供更高的信噪比（SNR），并且红曝现象较850nm更为微弱。

　　在发布时，IR：6技术已应用于以下专为空间受限应用设计的OSLON^® P1616产品系列的“B”版本：

• OSLON^® P1616 SFH 4180BS：提供920nm／940nm波长选项，辐射通量为1,485mW，发光角度为130°；

• OSLON^® P1616 SFH 4181BS：提供920nm／940nm波长选项，辐射通量为1,550mW，发光角度为70°；

• OSLON^® P1616 SFH 4182BS：提供920nm／940nm波长选项，辐射通量为1,650mW，发光角度为130°。

　　OSLON^® P1616 SFH 4181BS产品图片（图片：艾迈斯欧司朗）

　　该技术还应用于现有OSLON^® Black发射器的新版本：

　　·OSLON^® Black SFH 4713B：采用850nm波长，辐射通量为980mW，发光角度为80°；

　　·OSLON^® Black SFH 4714B：采用850nm波长，辐射通量为940mW，发光角度为150°；

　　·OSLON^® Black SFH 47167B：采用850nm波长，辐射通量为940mW，提供110°×130°的矩形照明视场。

　　OSLON^® Black SFH 4713B产品图片（图片：艾迈斯欧司朗）

　　IR：6芯片由位于艾迈斯欧司朗德国的雷根斯堡工厂生产。艾迈斯欧司朗掌握OSLON^® P1616及OSLON^® Black LED的完整供应链，包括从芯片到封装，确保客户对该产品的大批量供应充满信心。

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