2024年12月20日，中国——为了加快能效和功率密度都很出色的氮化镓(GaN)电源(PSU)的设计，意法半导体推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系统级封装(SiP)的谐振转换器参考设计。

意法半导体的MasterGaN-SiP在一个封装内整合了GaN功率晶体管与开关速度和控制准确度优化的栅极驱动器。使用高集成度的系统级封装SiP代替采用多个分立元件的等效解决方案，有助于最大限度地提高电源的性能和可靠性，同时加快设计速度，节省PCB电路板空间。

新的电源参考设计的目标应用是空间有限、能效至关重要的工业级电源。该电源整合了MasterGaN1L(内置两个650V 150mΩ GaN FET晶体管)与意法半导体的L6599A谐振控制器，峰值能效高于94%，原边无需安装散热器。该电源还集成了意法半导体的SRK2001A同步整流控制器，整体面积紧凑，为 80mm x 50mm，功率密度高达每立方英寸34瓦(W/inch³)。

该电源的最大输出电流为10A，在24V直流电压时，输出功率为250W，待机电流低于1µA，卓越的节能效果。L6599A和SRK2001A内置的保护功能可以防护过流、短路和过压的冲击，而输入电压监测可确保电源正常启动并提供欠压锁定。

EVL250WMG1L现已上市，集成了全部功能，可立即测评电源功能。相关文档全文发布在www.st.com/evl250wmg1l上，可帮助系统设计人员加快GaN电源项目开发进度。