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意法半导体(ST)的超小Transil系列抑制电涌达400W

SMM4F系列产品简化 IEC61000-4-5验证
2008-05-21
作者:意法半导体
 

保护元器件的世界领导厂商意法半导体(纽约证券交易所代码:STM)推出SMM4F系列单向Transil瞬变电压抑制二极管,新系列产品在三个主要方面提高性能:在小空间内提供先进的保护功能、降低泄漏电流" title="泄漏电流">泄漏电流实现低损耗、结温" title="结温">结温最大化以提升可靠性。  

 

SMM4F系列产品电涌" title="电涌">电涌防护能力达到400W 10/1000微秒,封装尺寸紧凑,占板面积仅为3.8 x 1.9mm。SMM4F二极管的尺寸小于现有的SMA封装的400W产品,防护性能更比现有的SMF封装200W电涌保护器件提高一倍,虽然后者的规格比SMM4F二极管小10%。SMM4F系列的低功耗性能杰出,泄漏电流仅为0.2微安的,使新产品成为电池供电设备或其它低耗电量应用的理想选择。由于在85℃时最大泄漏电流为 1微安,SMM4F系列产品同样适用于电信设备的电涌防护应用。 

 

SMM4F系列产品共有14款,关断电压在5V到33V之间。需要浪涌抑制二极管的大多数应用,如开关电源、消费电子产品、计算机和电信设备,都能在其中找到适合的产品。每款产品的最高额定结温均为175℃,与额定结温通常只有150℃的传统产品相比,SMM4F系列产品的安全系数更高。  

 

ST定义SMM4F系列产品其它参数特性,为设计工程师" title="设计工程师">设计工程师在各种工作条件下精确预测应用特性提供可靠数据。除10/1000微秒参数外,ST还提供8/20微秒的最大钳位电压和峰值功率电流,使设计工程师能够确认防护应用达到业界广泛接受的IEC61000-4-5标准。ST为设计工程师提供有关动态电阻、击穿电压随温度变化、泄漏电流对结温特性的精确数据。ST是市场上唯一提供这种信息的厂商,使设计工程师能够按照实际涌流和结温的比值精确计算钳位电压。 

 

SMM4F系列产品采用RoHS标准无汞JEDEC注册STmite封装,样片批量上市。 

 

关于意法半导体" title="意法半导体">意法半导体(ST) 

意法半导体,是微电子应用领域中开发供应半导体解决方案的世界级主导厂商。硅片与系统技术的完美结合,雄厚的制造实力,广泛的知识产权组合(IP),以及强大的战略合作伙伴关系,使意法半导体在系统级芯片(SoC)技术方面居最前沿地位。在今天实现技术一体化的发展趋势中,ST的产品扮演了一个重要的角色。公司股票分别在纽约股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米兰股票交易所上市。2007年,公司净收入100亿美元,详情请访问ST网站 www.st.com ST中文网站 www.stmicroelectronics.com.cn 

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