美国国家半导体" title="美国国家半导体">美国国家半导体公司 (National SEMIconductor Corporation)宣布推出三款LMV83x系列全新运算放大器。该系列新品内置抗电磁" title="抗电磁">抗电磁干扰滤波器，可以抑制射频电波的干扰，有助于提高模拟系统的准确性。LMV83x系列运算放大器的电磁干扰" title="电磁干扰">电磁干扰抑制比(EMIRR)高达120dB，为业界之最，而且可减少电磁干扰（EMI）引致的信号错误。LMV83x运算放大器来自美国国家半导体PowerWisea 高能效产品系列，单位增益带宽" title="单位增益带宽">单位增益带宽高达3MHz，而供电电流只需240uA，换言之，该系列新品的功率/性能比高达80uA/MHz。

　　LMV831单组装、LMV832双组装及LMV834四组装运算放大器都具有极高的抗电磁干扰能力，因此设计者无需加装金属罩屏蔽、滤波器及其他元件，而且还节省了开发时间，缩小了电路板面积。最重要的一点是这几款芯片都适用于噪声干扰密集的环境。对于电磁干扰特别敏感的电话配件、医疗设备、高精度重量计及个别行业专用的电子设备尤其适用。以重量计为例，射频信号的干扰会产生高达1V的输出电压偏移，以致模拟/数字转换器" title="数字转换器">数字转换器的10位分辨率(1024个代码)降至相当于3位分辨率。若采用LMV83x系列运算放大器，分辨率只会降低0.2位。许多不同的电子设备，例如滤波器/缓冲器、光电二极管前置放大器及压电传感器，都可采用LMV83x系列放大器芯片，以提高其抗电磁干扰的能力。

　　美国国家半导体不久前曾分别推出单位增益带宽高达8MHz的LMV851/52/54系列放大器及单位增益带宽高达30MHz的LMV861/62系列放大器。而此次推出的LMV83x系列放大器是该公司同类芯片的最新产品，均采用了美国国家半导体CMOS7专利工艺技术，不仅能效最优，而且性能最佳。

　　为了方便工程师准确评估运算放大器的抗电磁干扰能力，美国国家半导体专门为他们提供了一个以电磁干扰抑制比(EMIRR)为衡量基准的参考指标。工程师只需比较不同的数字，便可准确评定运算放大器不同引脚的抗电磁干扰能力。美国国家半导体还提供评估电路板，帮助工程师加快整个设计过程。此外，工程师还可搭配使用美国国家半导体多款具有1LSB、串行外围设备接口(SPI)的模拟/数字转换器，以及I2C接口的10位、12位模拟/数字转换器：ADC121SXX1、 ADC101Sxx1、ADC122SXX1、ADC102Sxx1、ADC124SXX1、ADC104Sxx1、SPI接口的ADC108Sxx2及ADC128SXX2、以及I2C接口的ADC121C021和ADC101C021等。

　　抗电磁干扰能力极高的 LMV831/32/34 运算放大器 -- 技术规格及特色

　　LMV831单组装、LMV832双组装及LMV834四组装运算放大器都可支持CMOS输入，输入偏移电压不超过1mV，并设有轨到轨输出级，包括接地电压在内的输入共模电压范围。LMV83x系列芯片的共模抑制比(CMRR)及电源抑制比(PSRR)都同样高达 93dB，即使驱动200pF这样大的电容负载，仍可发挥极高的稳定性，而且还适用于摄氏-40度至125度的宽温度范围。LMV831芯片采用5引脚SC70封装，LMV832 芯片采用8引脚MSOP封装，而LMV834芯片则采用14引脚TSSOP封装。

　　美国国家半导体的放大器系列

　　美国国家半导体一直专注于研发高性能的放大器及比较器，目前已成功推出一系列型号齐全的运算放大器，其中包含基本芯片以及专用标准产品(ASSP)，以满足市场上对高速、高精度、低电压及低功率放大器的需求。多年来，在放大器产品开发与创新方面的不懈努力以及先进的VIP10 双极和 VIP50 BiCMOS 工艺技术都确保了美国国家半导体在该领域的领先地位。此外，作为业界封装技术的领导者，美国国家半导体率先推出了革新的 Silicon Dust? 及 micro SMD 封装技术。