中心议题：

新型双极性晶体管具备低VCEsat

双极性晶体管在温度稳定性、ESD强度和反向阻断方面具备优势

近年来，中功率双极晶体管在饱和电阻和功率范围上的重大突破，极大地拓宽了此类器件的应用领域。恩智浦最新推出的SMD封装中功率晶体管(BISS 4)再次显现出双极晶体管的技术优势，在为开关应用带来了开关损耗更小，效率更高的同时，也赢得了更多的市场空间。

简介

近年来双极晶体管复苏势头强劲。一直由MOSFET器件控制的大功率开关领域也出现了变化，在消费电子和通信便携式设备中，越来越多的充电电路和负载开关开始采用双极晶体管。其中的主要原因是：通过提高半导体芯片中的电流均衡分配，双极晶体管在降低饱和电阻方面取得了巨大成功，新器件可以获得更为稳定的大电流增益。双极晶体管电流驱动的先天不足被显著弥补，而在温度稳定性、ESD强度和反向阻断方面的优势再次得到肯定。

通过推出BISS（突破性小信号）晶体管系列，恩智浦半导体取得了市场领导地位。第四代BISS晶体管（BISS 4，表１）的全新架构是SMD中功率双极晶体管技术发展的里程碑，有力拓宽了双极晶体管的应用领域。

两种产品类型——系列产品的架构和技术规格

由于双极晶体管电阻受多重因素影响，开发新型中功率双极晶体管需要认真评估完整的晶体管架构（选材、芯片设计、芯片金属化、芯片/封装连接和封装架构）。第四代BISS双极晶体管系列共分两类。

第一类是超低VCEsat双极晶体管——旨在最大程度降低饱和电阻RCEsat。这也是此类产品架构设计时遵循的唯一理念（芯片设计、半导体衬底电阻、芯片金属化、芯片/封装连接），其目的就是在SMD封装结构中获得14 mΩ的低饱和电阻。

第二类是高速开关类双极晶体管，除降低饱和电阻RCEsat外，此类器件还需要在快速开关和存储时间ts（大约140 ns）方面进行改进，以满足高频应用需求。此类器件需要在规定的电阻和开关时间之间获取平衡，满足相关设计特性的要求。

这两类晶体管都非常重视产品封装，标准SMD封装形式包括：SOT23、SOT457/SC-74、SOT223、SOT89和SOT96/SO-8。这一理念不仅能够满足客户多样化的标准应用需求，同时也为量产提供了保证。

恩智浦此次针对通信和汽车电子领域推出了20 - 60 V产品，今后还有望开发出20 - 100 V的双极晶体管。

产品设计

这两类晶体管产品（符合汽车应用的AECQ-101标准）采用不同的架构和设计方法以满足不同的设计考量和技术规范要求。我们需要了解的是产品中哪些元件会对电阻和饱和电压造成影响，影响的程度有多大，以及哪些措施会影响开关时间特性

影响饱和电压的主要因素是电阻电压降以及复合和注入元件。由于复合和注入电压总和相对轻微，因此重点需要注意电阻元件，主要包括半导体衬底电阻、芯片设计以及封装和互连技术的电阻。