高线性度、下变频SiGe混频器
2008-10-07
作者:美信公司
Maxim推出具有片内LO缓冲器的完全集成、2000MHz至3000MHz下变频" title="下变频">下变频混频器" title="混频器">混频器MAX19996。器件采用Maxim专有的单片SiGe工艺设计,具有优异的线性度、噪声性能和高度的器件集成特性。该单片IC中完全集成的下变频通道具有+24.5dBm (典型值)的IIP3、8.7dB (典型值)的转换增益以及9.6dB (典型值)的噪声系数。另外,MAX19996可提供业内最好的2RF-2LO杂散抑制:在-10dBm RF电平下为69dBc、在-5dBm RF电平下为64dBc。MAX19996专为
作为完备的SiGe下变频器" title="下变频器">下变频器,MAX19996集成了业内先进的混频器内核、2个放大器、2个非平衡变压器和多个分立元件。器件的8.7dB转换增益省去了接收通道中的IF放大电路。MAX19996优异的2RF-2LO性能,简化了相邻谐波分量的滤波要求,使滤波器的设计更为简单,成本更低。器件集高度集成特性和优异的性能于一体,使下变频器方案的尺寸减小了一半,分立器件数目减小了34%。
MAX19996提供紧凑的
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