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三星第一季度NAND Flash市占逼近40%大关

2010-05-11
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    2010年第1季全球NAND Flash产业市占率中,仍以三星电子(Samsung Electronics)位居龙头,根据集邦统计,三星的市占率高达39.2%,东芝(Toshiba)以34.4%市占率紧追在后,第1季位元成长率较上季增加15%,但平均单价(ASP)小跌5%,全球NAND Flash产业的产值规模约43.63亿美元,较上季39.1亿元成长11.6%。

    NAND Flash产业2009年率先落底反弹,但2010年表现空间不多,在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile RAM等存储器都供给吃紧且价格喊涨之际,NAND Flash价格反而持续呈现缓跌,第2季仍是传统淡季,因此终端需求持续疲弱中。

    存储器业者认为,第1季NAND Flash需求虽然清淡,但因为NAND Flash大厂没有太大压力,加上力守获利水平,因此价格跌幅有限,预计要到第3季传统淡季来临,消费性电子产品开始展开备货动作后,NAND Flash价格才有反弹机会。

    再者,2011年各厂许多新产能要开出,以及30奈米制程微缩的产品陆续出笼,也是影响NAND Flash产业供需的关键。

    集邦统计指出,全球2010年第1季NAND Flash市场中,三星市占率高达39.2%,东芝以34.4%市占率紧追在后,接著是美光(Micron)9.1%、海力士(Hynix)占7.9%、英特尔(Intel)占6.4%。

    其中,三星第1季NAND Flash芯片的位元成长率持续增加,且手机客户的订单也持续回笼,因此第1季营收成长14.2%,达17.1亿美元;而东芝的位元成长率也是正向成长,第1季营收成长18.5%,达15.1亿美元。

    再者,美光的市占率持续领先海力士,第1季位元出货量也是小幅增加,营收约3.97亿美元,海力士和英特尔的位元成长率则约莫持平,营收贡献分别为3.45亿美元和2.8亿美元。

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