头条 全球首个概念验证量子电池问世 3 月 20 日消息，英国卫报昨日（3 月 19 日）发布博文，报道称来自澳大利亚国家科学机构（CSIRO）的科学家成功研发出全球首个概念验证型量子电池原型，相关研究成果已发表在《光：科学与应用》杂志上。 最新资讯 程控直流电源的设计 LM317是一款输出可变电压的三端稳压块，通过调节控制端电压，而改变输出端的电压，LM317的控制端电压与输出端电压的基准电压约为1.25V. 只要给输出端-1.25-13.75V的电压值，我们就可以得到0-15V的输出电压。控制端电压我们可以通过单片机最小系统实现智能控制，将DA信号运算放大调整到-1.25-13.75V。 发表于：2011/12/17 一种MID电源管理解决方案 MID(mobile Internet Devices)是一种结合行动电话、数字相机与平板计算机的行动上网装置。AME的LDO、Step-Down DC/DC Converter可提供稳定的电源与高转换效率，并具有OCP、OTP保护设计，提高产品的稳定性与效能，让使用者能体验MID行动上网带来的便利与影音享受。 发表于：2011/12/17 改变电源频率降低EMI性能 本文这种方法涉及了对电源开关频率的调制，以引入边带能量，并改变窄带噪声到宽带的发射特征，从而有效地衰减谐波峰值。需要注意的是，总体EMI性能并没有降低，只是被重新分布了。 发表于：2011/12/17 茅于海：深入分析LED光衰的重要原因 现在大家开始意识到，光衰是大功率LED路灯不能长期工作的主要原因，也开始认识到降低光衰的一个重要方法就是改进其散热。尽管如此，从这次深圳市灯光环境管理中心对各种路灯的测试结果来看，仍然有大多数路灯的光衰是不能满足使用要求的。 发表于：2011/12/17 多电源系统的监控和时序控制 现今，电子系统往往具有许多不同的电源轨。在采用模拟电路和微处理器、DSP、ASIC、FPGA的系统中，尤其如此。为实现可靠、可重复的操作，必须监控各电源电压的开关时序、上升和下降速率、加电顺序以及幅度。既定的电源系统设计可能包括电源时序控制、电源跟踪、电源电压/电流监控和控制。 发表于：2011/12/17 二级保护器件协助功率系统防止热失控引起的损坏 我们家庭、办公室和车辆中电力电子应用的持续增长，推动着走向新材料和更高效率电源组件这一趋势的发展。高功率、高温的应用带来了对电力电子系统更大的需求，从而导致了器件因长期暴露在各种恶劣环境中出现故障而引起潜在的多种严重热问题的可能各种。因此，现在大多数工业电子和消费电子设备中采用了热保护器件，以提高可靠性和安全性。 发表于：2011/12/17 功率器件IGBT在不间断电源（UPS）中的应用 在UPS 中使用的功率器件有双极型功率晶体管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率晶体管的导通电压低，通态电流大的优点、使用IGBT 成为UPS 功率设计的首选，只有对IGBT的特性充分了解和对电路进行可靠性设计，才能发挥IGBT 的优点。本文介绍UPS 中的IGBT 的应用情况和使用中的注意事项。 发表于：2011/12/17 高效率双通道同步降压型控制器提供完整的 DDR 电源解决方案并符合 DDR1 / DDR2 / DDR3 标准要求 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率双输出同步降压型 DC/DC 控制器 LTC3876，该器件为 DDR1 / DDR2 / DDR3 以及未来的标准存储器应用产生 VDDQ 电源电压、VTT 总线终端电压和 VTTR 基准电压。第一个通道的输出产生 VDDQ，并可在电流高达 25A 时，在 2.5V 直至 1V 的范围内设定 VDDQ。第二个通道的输出产生 VTT，并提供卓越的负载调节准确度和效率。一个内部 LDO 提供准确度为 ±1.2% 的 VTTR 基准。VTT 和 VTTR 均可用一个内部电阻分压器设定为等于 VDDQ 电源电压的一半，并在 1.25V 至 0.5V 的范围内工作，以支持所有 DDR 标准。VTT 电源能提供对称的输出电流能力，在 VTT 为 ±25A (提供 / 吸收) ，而在 VTTR 则为 ±50mA。 发表于：2011/12/16 双ARM7SoC参考设计实现多电压AVS 电压调节技术与频率调节技术的结合使用为时钟切换添加了新原则，以确保新时钟频率拥有安全的电压电平。此外，电压调节功能需要在SoC内创建电压域。这将在两个可变电压域之间或可变电压域和静态电压域之间创建电压域接口。跨越接口的可变电压电平差为接口设计带来了独特挑战。时钟、信号电平转换以及电压域隔离等问题都必须仔细考虑，以确保最短延迟和信号完整性。 发表于：2011/12/16 电源设计小贴士 41：DDR 内存电源 CMOS 逻辑系统的功耗主要与时钟频率、系统内各栅极的输入电容以及电源电压有关。器件形体尺寸减小后，电源电压也随之降低，从而在栅极层大大降低功耗。这种低电压器件拥有更低的功耗和更高的运行速度，允许系统时钟频率升高至千兆赫兹级别。在这些高时钟频率下，阻抗控制、正确的总线终止和最小交叉耦合，带来高保真度的时钟信号。传统上，逻辑系统仅对一个时钟沿的数据计时，而双倍数据速率(DDR) 内存同时对时钟的前沿和下降沿计时。它使数据通过速度翻了一倍，且系统功耗增加极少。 发表于：2011/12/16 <…1133113411351136113711381139114011411142…>
