头条 全球首个概念验证量子电池问世 3 月 20 日消息，英国卫报昨日（3 月 19 日）发布博文，报道称来自澳大利亚国家科学机构（CSIRO）的科学家成功研发出全球首个概念验证型量子电池原型，相关研究成果已发表在《光：科学与应用》杂志上。 最新资讯 LED驱动技术攻略[图] 去年，“十城万盏”示范工程并没有像预期的那样带来丰硕的成果，反而是这种大功率LED照明的缺点被充分地暴露出来：LED驱动电源可靠性极差，发热高，很多LED的驱动电源被烧坏，其中很多都是由于不起眼的外围小器件坏掉而导致整个驱动电路失效。 发表于：2011/7/28 两款直流电机功率驱动芯片的功能介绍及其应用 随着功率电子技术的飞速发展,直流电机的功率驱动集成电路也越来越多,它们具有效率高、输出电流大、需要外接的元件少等特点。本文介绍SA60以及LMD18245这两种芯片的引脚功能、特点及其各自的应用。 发表于：2011/7/28 具电源通路控制和自动电量平衡功能、占板面积为 9mm2 的 150mA 超级电容器充电器 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出一款具有后备电源通路 (PowerPath™) 控制器的无电感器型超级电容充电器 LTC3226，该器件适合于那些需要短时后备电源应用中的锂离子电池或其他低电压系统轨。LTC3226 采用一种低噪声双模式 (1x / 2x) 充电泵架构，具恒定输入电流，可从 2.5V 至 5.5V 的输入电源给两节串联的超级电容器充电，使其达到 2.5V 至 5.3V 的可编程电容器充电电压。充电电流最高达 150mA，是电阻器可编程的。该器件的自动电量平衡和电压箝位功能无需平衡电阻器就可保持两节超级电容器上的电压相等。这可保护每个超级电容器免遭因电池电容不匹配或泄漏所引起的过压损坏，同时最大限度地减少对电容器的电流消耗。 发表于：2011/7/27 基于TOP224Y复合型精密恒流源的设计[图] 文章设计了一种由前级为精密开关恒压源电路、后级为三端浮动稳压器构成线性恒流源的复合型精密恒流源，给出了开关型恒压源与线性恒流源的设计原理与器件参数的选择。该复合型精密恒流源具有开关电源低功耗、电源输入范围宽的优良特性，也具备线性恒流源的精密性和稳定性；电路简单、体积小、纹波系数小，故在精密测量领域具有广泛的应用前景。 发表于：2011/7/27 基于复合耦合技术的低压电力线载波通信接口电路设计 采用“电磁耦合”与“阻容耦合”相结合的“复合耦合技术”，建立了接口电路模型。分析并设计了基于ST7538的低压电力线载波通信的接口电路，对接口电路进行仿真试验及结果分析。最后，对接口电路的主要性能:载波信号加载效率、幅频特性、通频带、隔离电力网220V/50Hz的工频信号能力进行分析。 发表于：2011/7/27 交流变频器在橡胶塑料机械中的应用 目前我国橡胶塑料机械制造企业近500余家;大中型企业200家，骨干企业近10家。高新技术、科技创新在制品中不断应用，新的拖动控制方式不断涌现，现代微电子技术、数字技术、电力电子技术不断推新，已引起国内外同行的注目。尤其是中国进入世界经贸组织（WTO）以后，很多国际生产橡胶塑料制品业的厂家进入中国，一些知名的橡胶塑料制造企业和与其配套的电力电子元器件及装备制造业的厂家也大批量向中国转移，给我国的橡胶塑料机械制造业带来了机遇和挑战。 发表于：2011/7/27 便携式电源产品中的电池充电器发展趋势━━ 高功率和宽范围输入 便携式电源应用领域宽泛而多样。产品涵盖了从平均功耗仅几 μW 的无线传感器节点到采用好几百瓦时电池组的车载式医疗或数据采集系统等众多门类。然而，尽管品种繁多，但它们却呈现出了相对一致的发展趋势 ━━ 设计人员不断地要求其产品拥有较高的功率以支持更多的功能，并指望能从任何可用的电源来给电池充电。第一个趋势要求增加电池容量。不幸的是，用户常常缺乏耐心，而且增加的电池容量必须要在合理的时间之内完成充电，这就必然导致充电电流的增大。第二个趋势则要求电池充电解决方案具有巨大的灵活性。我们将对这些问题逐个进行较为详细的探究。 发表于：2011/7/27 一种新型的蓄电池充电技术研究 通过分析铅酸蓄电池组串联充电不均衡的产生原因，采用不对称半桥和Buck两级主电路结构，结合三段式充电法，提出了一种新型的充电器设计方案，解决了充电不均衡的难题。实验结果表明，该方案能实现蓄电池组的并联均衡充电，避免电池性能差别的扩大，不对称半桥的零电压软开关也提高了充电器的效率。 发表于：2011/7/27 一种全集成型CMOS LDO线性稳压器设计 设计了一种基于0．25 μm CMOS工艺的低功耗片内全集成型LDO线性稳压电路。电路采用由电阻电容反馈网络在LDO输出端引入零点，补偿误差放大器输出极点的方法，避免了为补偿LDO输出极点，而需要大电容或复杂补偿电路的要求。该方法电路结构简单，芯片占用面积小，无需片外电容。Spectre仿真结果表明：工作电压为2．5 V，电路在较宽的频率范围内，电源抑制比约为78 dB，负戢电流由1 mA到满载100 mA变化时，相位裕度大于40°，LDO和带隙电压源的总静态电流为390μA。 发表于：2011/7/27 集成PMOS管变容特性分析与仿真建模 为适应PMOS变容管在集成电路设计中的晶体管级仿真，在分析MOS变容管特性的基础上，通过确定关键点、以曲线拟合的方法建立与工艺参数相关的PMOS集成变容管高频特性模型。选用Charted 0．35μm这个特定的工艺库，并离散地改变电容连接的PMOS静态偏压、用HSpice仿真并对寄生电容提取后描绘出变容特性的准静态曲线；用Matlab对所建的简化高频变容模型进行仿真、得出高频变容曲线。仿真与理论结果相比较表明：PMOS管变容特性曲线与理论曲线的变化趋势吻合；2种仿真对变容显著区吻合较好。从而证明了PMOS集成变容管高频简化模型的正确性。 发表于：2011/7/27 <…1296129712981299130013011302130313041305…>
