一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计AET-电子技术应用-最丰富的电子设计资源平台

一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
所属分类：技术论文
上传者：serena
标签：集成电路 LDMOS
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文档介绍：提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。
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