DC-60 GHz硅基垂直互联结构仿真设计
所属分类:技术论文
上传者:aetmagazine
文档大小:747 K
标签: 三维集成 硅转接板堆叠 垂直互联结构
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文档介绍:设计了一种基于多层硅转接板堆叠的垂直互联结构,对DC-60 GHz频段内不考虑和考虑硅表面SiO2层的两种层间结构的垂直互联仿真结果进行对比,证明了硅表面SiO2层存在会对谐振频率及阻抗等射频性能产生影响;对后者垂直互联结构进行参数优化,射频传输性能较好,频率40 GHz以下时回波损耗S11小于-30 dB,60 GHz以下整体S11小于-15 dB,插入损耗S12在50 GHz以下大于-0.32 dB;研究了硅表面SiO2绝缘层厚度变化对射频信号传输性能的影响,结果表明适当增加其厚度有助于垂直互联结构性能优化。
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