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延长CMOS寿命的关键因素
所属分类：技术论文
上传者：serena
文档大小：326 K

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文档介绍：对于模拟CMOS（互补对称金属氧化物半导体）而言，两大主要危害是静电和过压。了解这两大危害，用户便可以有效应对。
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