SE9435_P沟道增强型功率MOSFET_SINO-ICAET-电子技术应用-最丰富的电子设计资源平台

SE9435_P沟道增强型功率MOSFET_SINO-IC
所属分类：白皮书
上传者：serena
文档大小：344 K
标签： MOS\|IGBT\|元器件
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文档介绍：参数：VDS = -30 V ●ID = -5.3 A ●RDS(ON) = 0.050 Ω @VGS = -10V ●Low gate charge. ●Fast switching speed. ●Extremely low RDS(ON) ●High power and current handling capability ●SE9435兼顾了快速开关能力、低导通电阻和成本。
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