Si7625DN数据手册 | |
所属分类:参考设计 | |
上传者:serena | |
文档大小:126 K | |
标签: MOS|IGBT|元器件 | |
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文档介绍:Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)推出首款采用PowerPAK® 1212-8封装的30V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si7625DN。在这种电压等级和3.3mmx3.3mm占位面积的P沟道MOSFET中,该器件的导通电阻是最低的。 | |
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