| 开关电源MOSFET的交越损耗分析 | |
| 所属分类：技术论文 | |
| 上传者：serena | |
| 文档大小：83 K | |
| 标签： MOS|IGBT|元器件 | |
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| 文档介绍：随着环保节能的观念越来越被各国所重视，电子产品对开关电源需求不断增长，开关电源的功率损耗测量分析也越来越重要。由于开关电源内部消耗的功率决定了电源热效应的总体效率，所以了解开关电源的功率损耗是一项极为重要的工作。本文详细分析开关电源的核心器件之一---MOSFET开关管的交越损耗，从而使电子工程师更加深入理解MOSFET产生损耗的过程。 | |
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