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集成全新650V IGBT和发射极控制二极管芯片技术的三电平IGBT功率
所属分类：解决方案
上传者：serena
文档大小：205 K
标签： MOS\|IGBT\|元器件
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文档介绍：通过将一个完整的三电平桥臂集成在一个模块内部，把器件耐压从600V提高到650V，然后配上较高集成度的驱动解决方案，这种三电平NPC拓扑为中、小功率逆变器如高效的UPS、PV等需要工作在较高开关频率和配置有滤波器的应用带来非常具有吸引力的解决方案。
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