150V低RDS(ON) MOSFET器件FDMS86200AET-电子技术应用-最丰富的电子设计资源平台

150V低RDS(ON) MOSFET器件FDMS86200
所属分类：参考设计
上传者：serena
文档大小：211 K
标签： MOS\|IGBT\|元器件
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文档介绍：飞兆半导体公司推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和优化品质因数(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以满足DC-DC设计人员对具有较低开关损耗、较低噪声和紧凑占位面积之MOSFET产品的需求。该器件利用飞兆半导体先进的工艺技术和封装技术，以及系统专有技术，并采用5mm x 6mm MLP封装，具有效率高、功耗较低和散热较少的特性。
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