MOSFET的开关速度将决定未来POL电源的性能 | |
所属分类:技术论文 | |
上传者:aet | |
文档大小:341 K | |
标签: 光传输网络 | |
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文档介绍:MOSFET的开关速度将决定未来POL电源的性能Carl Blake, 国际整流器公司 一个采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器的VRM能够于高达2MHz/相位下工作,并提供120A电流,且满足负载点电源的瞬态响应要求。 MOSFET的开关速度将决定未来POL电源的性能.pdf | |
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