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联华电子 (UMC) 28纳米节点采用Cadence物理和电学制造性设计签收解决方案
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面向湿式蚀刻清洗工艺的新型使用端有害气体清除系统
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Altera公司与台积公司在55纳米嵌入式闪存工艺技术领域展开合
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意法半导体（ST）的产品、技术及高管入围《电子工程专辑》和《电子技术设计》电子成就奖
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欧盟资助SYNAPTIC项目研发先进的设计合成工具流
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Imagination公司与台积公司强化技术合作关系
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意法半导体（ST）通过CMP提供先进MEMS制程试制样片
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意法半导体（ST）通过CMP提供130纳米H9A模拟CMOS制程
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意法半导体（ST）28纳米FD-SOI技术运行速度达到3GHz
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中芯国际CEO邱慈云再次当选GSA董事
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Altera采用Intel的14 nm三栅极技术开发下一代高性能FPGA
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Altera和TSMC继续长期合作
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英飞凌生产的300毫米薄晶圆通过质量检验 首个CoolMOS™家族芯片现已开始面向全球发货
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富士通半导体获海思半导体策略ASIC合作伙伴荣誉
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赛灵思推出多项20nm第一继续保持领先一代优势
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全世界规模最大的纳米技术展nano tech 2013
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三星与Synopsys合作实现首次14纳米FinFET成功流片
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3D IC制造准备就绪 2013将迈入黄金时段
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来自意法半导体（ST）与CEA-Leti的研究员荣获2012年Général Ferrié大奖
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意法半导体（ST）宣布位于法国Crolles的晶圆厂即将投产28纳米FD-SOI制程技术
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上海集成电路研发中心与Synopsys共同建立先进工艺技术联合实验室
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20nm的价值: 继续领先一代
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基于28nm技术突破的赛灵思20nm产品系列继续领先一代
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华润上华200V SOI工艺开发持续创新，产品再上新台阶
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借力ARM 64位V8 台积电16nm FinFET蓝图仍雾里看花?
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意法半导体与Soitec携手通过CMP提供28纳米FD-SOI CMOS制程
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LAKER-CALIBRE REALTIME整合流程 获得2012 TSMC OIP定制设计参考流程采用
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GLOBALFOUNDRIES推出用于下一代移动设备的优化的 FinFET 晶体管架构
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