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美光印度封测工厂将于2025上半年开始出货
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美光获得美国至多61.4亿美元直接补贴和75亿美元贷款
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美光预估AI时代旗舰手机DRAM内存用量将提升50%~100%
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美光：HBM内存消耗3倍晶圆量
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消息称HBM4标准放宽 三星、SK海力士推迟引入混合键合技术
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美光计划部署纳米印刷技术以降低DRAM芯片生产成本
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南亚内存20nm技术被盗损失数十亿
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美光推出业界领先的紧凑封装型 UFS
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美国法院裁定：福建晋华“不存在经济间谍活动”
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美光推出紧凑封装型UFS 4.0
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美光发布最小尺寸UFS4.0手机存储芯片
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美光宣布量产24GB的HBM3E，将用于英伟达H200
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HBM供不应求：SK海力士售罄！美光售罄！
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1c纳米内存竞争：三星计划增加EUV使用，美光将引入钼、钌材料
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三星宣布开发280层QLC闪存：M.2 SSD可达16TB！
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美光率先上市基于LPDDR5X的 LPCAMM2内存模块
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消息称英伟达已向SK海力士和美光预购大量HBM3内存
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消息称三星和美光第 1 季度 DRAM 价格已上调 15%-20%
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一文读懂：美光、晋华握手言和，“存储芯片战”剧终
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涉专利侵权！长江存储在美起诉美光！
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