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三星电子HBM3E内存性能未满足英伟达要求
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SK海力士正式发布全球首款48GB 16Hi HBM3E
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SK海力士展出全球首款16层HBM3E芯片
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三星高管暗示其HBM芯片已获英伟达质量测试重大进展
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NVIDIA B200 Ultra系列将改名为B300
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三星HBM3E因1a制程DRAM原因仍未通过英伟达认证
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SK海力士宣布大规模量产12层HBM3E芯片
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三星电子HBM3E内存已获英伟达验证
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消息称三星8层HBM3E存储芯片已通过英伟达测试
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三星芯片主管警告:不改革将陷入“恶性循环”
发表于:8/2/2024 8:16:00 AM
三星计划2024Q3量产8层HBM3E产品
发表于:8/1/2024 1:16:16 PM
三星成立新的HBM团队推进HBM3E和HBM4开发工作
发表于:7/8/2024 8:37:00 AM
消息称英伟达H200芯片2024Q3大量交付
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NVIDIA13亿美元大单预定HBM3E内存
发表于:6/21/2024 8:30:18 AM
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SK 海力士将提升1b nm DRAM 产能以满足HBM3E内存需求
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黄仁勋确认三星HBM3e未通过英伟达认证
发表于:6/5/2024 8:57:20 AM
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发表于:5/14/2024 8:39:21 AM
SK海力士:12层堆叠HBM3E开发三季度完成
发表于:4/26/2024 8:59:13 AM
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消息称三星将向英伟达独家供应12层HBM3E
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SK海力士开始量产HBM3E内存,本月下旬起向英伟达供货
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三星开发业界首款36GB HBM3E存储芯片
发表于:2/28/2024 9:30:20 AM
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